根據(jù)市場(chǎng)研究公司ABI的最新預(yù)測(cè)報(bào)告指出，未來四年高功率RF半導(dǎo)體市場(chǎng)將出現(xiàn)大幅成長(zhǎng)，但無線基礎(chǔ)設(shè)備業(yè)務(wù)不會(huì)像現(xiàn)在這樣明顯佔(zhàn)據(jù)主導(dǎo)地位。  

預(yù)測(cè)高功率RF市場(chǎng)的營(yíng)業(yè)額到2012年將接近10億美元，但ABI研究主管Lance Wilson表示：“多年來該市場(chǎng)一直處于無線基礎(chǔ)設(shè)備業(yè)務(wù)的陰影之下?，F(xiàn)在，新的3G/蜂巢式無線基礎(chǔ)設(shè)備部署活動(dòng)正減少，于是開始有了關(guān)于該產(chǎn)業(yè)其它領(lǐng)域表現(xiàn)情況的少量資訊。”  

Wilson暗示，高功率RF半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來五年的發(fā)展將取決于三個(gè)關(guān)鍵問題：“在制造層面，氮化鎵(gallium nitride)和碳化硅(silicon carbide) RF功率元件的導(dǎo)入，是否意味著Si LDMOS的死亡？行動(dòng)/3G基礎(chǔ)設(shè)備市場(chǎng)處于下滑態(tài)勢(shì)，是否還會(huì)像過去那樣繼續(xù)驅(qū)動(dòng)RF功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)？無線基礎(chǔ)設(shè)備以外的市場(chǎng)領(lǐng)域是否能支撐該市場(chǎng)？”  

ABI的一個(gè)研究小組最近剛完成的一份報(bào)告回答了這些問題，指出未來RF功率半導(dǎo)體的功率輸出將超過5W，作業(yè)頻率范圍則在3.8GHz以下。此外該報(bào)告將RF功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分為六個(gè)主要應(yīng)用領(lǐng)域：無線基礎(chǔ)設(shè)備、軍事、ISM (工業(yè)、科學(xué)與醫(yī)療)、廣播、商業(yè)航太、非蜂巢式通訊。  

除以上六大主要應(yīng)用領(lǐng)域，該報(bào)告還細(xì)分了RF功率半導(dǎo)體的24個(gè)次要應(yīng)用領(lǐng)域，暗示無線基礎(chǔ)設(shè)備未來幾年對(duì)于供應(yīng)商的重要性將下降。