對(duì)帶有RFID標(biāo)簽的新Port進(jìn)行了磁場(chǎng)相互作用下磁共振有關(guān)的發(fā)熱偽影綜合實(shí)驗(yàn)，確定了與1.5和3-T下磁共振系統(tǒng)有關(guān)條件下RFID標(biāo)簽的性能是否受到影響。基于實(shí)驗(yàn)結(jié)果，該植入體適合[或使用當(dāng)前磁共振標(biāo)簽術(shù)語(yǔ)——磁共振條件下]讓病人接受1.5-T/64-MHz 和 3-T/128-MHz下的磁共振成像檢查。
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