目的：含有RFID標(biāo)簽類金屬醫(yī)學(xué)植入體必須經(jīng)過合理的磁共振實驗，以確保病人安全，并判斷在磁共振成像情況下RFID標(biāo)簽功能是否會損壞。因此，本次研究的目的是評估含有RFID標(biāo)簽的新Port的核磁共振成像問題。

　　材料和方法：利用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議對RFID標(biāo)簽的Port樣品(賓夕法尼亞哈爾勒斯維爾Medcomp的特殊識別給藥裝置)進行評估，以此來評估磁場相互作用(平移引力及力矩，3-T)、磁共振成像有關(guān)的發(fā)熱(3-T)、偽影(3-T)及在不同磁共振成像條件下有關(guān)功能變化(9個樣品，在1.5-T和3-T時暴露在不同磁共振成像條件下)。

　　結(jié)果：磁場互相作用并不大，不會給病人造成危害。與磁共振有關(guān)的升溫也很小(最高溫度變化為1.7℃)，背景溫升1.6℃)。與設(shè)備有關(guān)的偽影大小適中。1.5-T和3-T時的核磁共振成像并未改變或破壞RFID標(biāo)簽的功能。

　　結(jié)論：實驗結(jié)果表明，RFID標(biāo)簽新Port(或利用當(dāng)前磁共振成像標(biāo)簽術(shù)語描述的磁共振條件)可用于在1.5-T，64-Mhz和3-T/128-MHzXIA 條件下對病人進行磁共振成像檢查。

　　1. 引言

　　Port是一種可用來進行長期血管注射化療劑、抗生素、鎮(zhèn)痛劑或其他藥劑的植入體。這種設(shè)備通常利用插入頸靜脈、鎖骨下靜脈或頭皮靜脈的導(dǎo)管植入在鎖骨區(qū)域的皮下袋中。也可使用經(jīng)特殊設(shè)計的Port進行注入造影劑以便加快放射性治療過程，例如，使用IV造影劑進行CT或磁共振成像檢查。

　　目前，Port需要通過電離輻射來合理確定不透射線標(biāo)志或其他可見字母(例如，通常使用的植入體上帶有CT標(biāo)記)，這些都表明Port可用于動力注射(例如，在300psi時高達5-cc/秒的量)。不合理使用特制動力注射Port可致病人嚴(yán)重受傷。因此，最重要的是確認(rèn)實際使用的動力注射用Port是否能夠承受高壓條件。

　　近幾年來，一種新研制出的Port融合了RFID設(shè)備或標(biāo)簽。RFID標(biāo)簽是一個接在天線上的微芯片，通過利用無線射頻電磁場使無線或非接觸機制將來自標(biāo)簽(該標(biāo)簽與植入體內(nèi)的物體連接或嵌入到該物體上)上的電子存儲數(shù)據(jù)傳輸至掃描儀或閱讀器，實現(xiàn)對該項目的自動識別[1]。重要的是，使用RFID技術(shù)Port可用閱讀器明確識別動力注射設(shè)備的Port，而無需嚴(yán)格使用電離放射來確定給病人植入的Port類型。

　　如果一個醫(yī)學(xué)植入體帶有RFID標(biāo)簽的Port，它必須經(jīng)過合理的磁共振成像實驗(該實驗包括確定磁場相互作用、磁共振導(dǎo)致的發(fā)熱，以及偽影的特征描述)來確保病人安全[1–6]。值得注意的是，由于和磁共振成像有關(guān)的電磁場可能會影響數(shù)據(jù)的可靠性，或?qū)е翽ort[2]所用RFID標(biāo)簽功能方面損壞，必須專門評估新植入體的部件。為此，本次研究的目的是評估上述使用RFID標(biāo)簽的新Port有關(guān)的磁共振成像問題。

　　2. 材料和方法

　　2.1 帶有RFID標(biāo)簽的Port

　　本次研究中評估了使用集成了RFID設(shè)備或標(biāo)簽(賓夕法尼亞哈爾勒斯維爾Medcomp的特定識別給藥裝置)的新Port樣品(圖 1)。該Port所用材料包括鈦(包括一個小型連接器部件，長度7mm)、聚砜、硅、鎢和鐵。RFID標(biāo)簽在激活時傳輸16位編碼的比特流，通過手持掃描儀或閱讀器(賓夕法尼亞哈爾勒斯維爾Medcomp的Veracity閱讀器)提供的激活磁場讀出，該閱讀器為其提供運行動力(注：由于閱讀器不用于評估磁共振成像有關(guān)問題，因此在磁共振系統(tǒng)室不允許使用該閱讀器)。手持閱讀器顯示可供醫(yī)師查看的信息，該信息表明植入Port是RFIDPort。RFID標(biāo)簽所用的頻率范圍為：129.0-133.2 kHz及 135.2-139.4 kHz。

　　3. 磁場相互作用評估

　　使用標(biāo)準(zhǔn)測試技術(shù)[2–7]對3-T下(威斯康星州密爾沃基Milwaukee通用電氣醫(yī)療公司提供的勵磁軟件G3.0-052B)對帶有RFID標(biāo)簽Port進行評估確定磁場的相互作用(例如，平移吸引力和力矩)。由于目前通常使用最高磁場，所以本次研究選用3-T的靜態(tài)磁場強度[8]。因此，磁場相互作用的結(jié)果將用于3-T或更低時磁共振系統(tǒng)的運行情況 [8]。

　　圖1: 磁共振成像問題實驗用帶有RFID標(biāo)簽的Port

　　3.1 平移引力

　　利用偏轉(zhuǎn)角測試來確定平移引力[2–7]。測試夾具(將刻度為1°的分度器安裝在夾持裝置上)用來測量3-T磁共振系統(tǒng)下帶有RFID標(biāo)簽的Port的偏轉(zhuǎn)角。使用一個20cm長的細繩(細繩的重量低于植入體重量的1%)將該設(shè)施連接在處于0°指示器的分度器上[2–7]。將偏轉(zhuǎn)角儀器放在3-T磁共振掃描儀病人可觸及的最高空間梯度磁場處，掃描儀為702G/cm，并位于軸偏移位置處，距離磁共振系統(tǒng)的等角點74cm[2–7,9]。通過高斯線圖、高斯儀讀數(shù)(美國新罕布爾什州納舒厄Extech公司提供的Extech480828電磁場和極低頻儀表)以及通過目測來確定病人可觸及的梯度磁場的最高點[2–7,9]。先把有RFID標(biāo)簽的Port垂直固定在測試夾具上，然后松開。將接近1°時的偏移角測量三次，取平均值。

　　3.2 扭力估算

　　隨后利用之前所述方法[2–7]估算RFID標(biāo)簽Port在3-T下磁場所產(chǎn)生的感應(yīng)扭力。將裝有測試樣品的測試夾具(平板塑料材質(zhì)，尺寸15cmx15cm，刻有毫米網(wǎng)格)固定在3-T磁共振系統(tǒng)的中心，此時得到的施加在金屬物品上的扭力便是最大值[2–7]。然后將植入體相對于其之前位置轉(zhuǎn)動45°，觀察其對中或轉(zhuǎn)動情況。重復(fù)這一步驟，對于RFID標(biāo)簽的Port360°旋轉(zhuǎn)三次，植入體位于其長短軸上[2–7]。根據(jù)上文所述，利用定性數(shù)值范圍描述以下結(jié)果[2–7]：0表示無扭力;+1表示輕度或低扭力，植入體輕微改變方向，但沒有和磁場對準(zhǔn);+2表示中等扭力，此時植入體漸漸和磁場保持對齊;+3表示大扭力，此時植入體快速與磁場保持對準(zhǔn);+4表示非常大的扭力，此時植入體非?？焖俚嘏c磁場保持對準(zhǔn)。

　　4. 磁共振導(dǎo)致的發(fā)熱評估

　　4.1 體模及實驗設(shè)定值

　　利用標(biāo)準(zhǔn)實驗方法[2,4–7,10]評估RFID標(biāo)簽Port在3-T/128-MHz下磁共振導(dǎo)致的發(fā)熱[2,4–7,10]。為了進行該實驗，給美國實驗材料學(xué)會規(guī)定的塑料體模(體模頭部和軀干尺寸：頭部：寬16-cm，長29cm，深18cm;軀干部分：寬60cm，長43cm，深18cm)填充10cm厚的凝膠鹽(例如，在蒸餾水中溶解1.32-g/L氯化鈉和 10 g/L 聚丙烯酸)，將植入體固定在一個可產(chǎn)生明顯磁共振溫升的位置上(例如，如果有一個高均勻電場與植入體正切，根據(jù)美國實驗材料學(xué)會國際體模分析及本次評估所用的磁共振成像條件確保本次試驗設(shè)定值的極射頻溫升條件)。如上所述[2,4–7]，在進行磁共振導(dǎo)致的發(fā)熱實驗期間可使用相對較高的射頻能量。

　　4.2 溫度記錄和溫度測量探針放置

　　使用fluoroptic溫度測量系統(tǒng)(美國加利福尼亞州LumaSense公司的3100型溫度測量系統(tǒng))來記錄RFID標(biāo)簽Port上測量到的溫度。將三支溫度測量探針(美國加利福尼亞州LumaSense公司的SFF-2型探針)按照如下順序放置：1號探針：將探針的傳感器部分固定在植入體的一端，采用連接器連接;2號探針：將其傳感器部分固定在植入體的另一端;3號探針，將其傳感器部分固定在植入體的中間部位。此外，將參考基準(zhǔn)探針固定在距離植入體大約35mm的體模上 [2–4,10]。

　　4.3 磁共振成像

　　利用傳輸提射頻線圈在3-T/128-MHz下溫升實驗期間(威斯康星州密爾沃基Milwaukee通用電氣醫(yī)療公司提供的勵磁軟件HDx 及14X.M5)進行磁共振成像。磁共振成像參數(shù)可用來生成相對較高的射頻能量，產(chǎn)生磁共振系統(tǒng)報告全身平均比吸收率(SAR)值-2.9-W/kg(快速自旋回波脈沖串、軸平面、TR, 425ms; TE：14ms;回聲列長度： 4;帶寬：16-kHz;矩陣尺寸：256 × 256; 視角：40cm;截面厚度：10mm;切片數(shù)量：40個)[4–7]。標(biāo)志位置(例如，磁共振的中心位置或解剖區(qū)域)及截面位置的選擇應(yīng)使之包括帶RFID標(biāo)簽Port的整個區(qū)域。

　　4.4 協(xié)議

　　將填充有凝膠鹽的體模放在3-T磁共振系統(tǒng)室持續(xù)24小時以上使之與周圍環(huán)境溫度保持平衡。將RFID標(biāo)簽的Port固定在體模上，并使用fluoroptic溫度測量探針。5秒記錄一次基準(zhǔn)溫度，持續(xù)5分鐘，實施15分鐘的磁共振成像，每5秒記錄一次溫度 [2–7]。每5秒記錄一次后磁共振溫度，持續(xù)2分鐘。Fluoroptic溫度測量探針相對于植入體的位置應(yīng)在評估磁共振導(dǎo)致的發(fā)熱前后立即確認(rèn)，并記錄最高溫度變化。同時也要記錄填充有凝膠鹽的ASTM國際體模[4–7,10].上的“背景溫度”(例如，體模上沒有放置植入體時的溫度)。相應(yīng)地，也要按照測量RFID標(biāo)簽Port溫度時使用的間隔時間(這也是磁共振有關(guān)溫升評估的一部分)記錄同一fluoroptic溫度測量探針位置處的溫度變化[4–7,10]，還要記錄評估期間得到的最高溫度變化。

　　5. 偽影評估

　　將植入體固定在塑料板上如[2–7]所述置于一個摻有釓的抹鹽體模上，在3-T/128-MHz下對RFID標(biāo)簽的Port磁共振成像偽影進行評估。如[2–7]使用以下脈沖串：

　　(1) T1-加權(quán)自旋回波脈沖串;重復(fù)時間500ms，回聲間隔：20ms;矩陣大?。?56x256;截面厚度：10mm;視角：24cm;勵磁次數(shù)：2次;帶寬：16Khz;(2)梯度回波脈沖串：重復(fù)時間100ms，回聲間隔：15ms;翻轉(zhuǎn)角：30°;矩陣大小：256x256;截面厚度：10mm;視角：24cm;勵磁次數(shù)：2次;帶寬：16Khz。

　　在RFID標(biāo)簽Port上選擇截面位置，使之包括植入體的長軸(例如，沿著小金屬連接器方向)和短軸，這樣才能達到偽影的最大尺寸(例如，多定位器掃描所述的情況)。頻率解碼方向平行于成像平面。使用磁共振系統(tǒng)中的平面幾何軟件(精度和分辨率誤差為±10%)確定各脈沖串和成像平面中最大偽影的橫截面面積[2–7]。使用統(tǒng)一的方式顯示參數(shù)(例如，窗口和平面設(shè)置，放大率等)，以確保有效測量偽影的尺寸。如果有可能使用多個磁共振參數(shù)來描述金屬植入體的偽影特征時，請參考之前的方法，并和所進行的類似偽影評估所用的其他植入體結(jié)果進行比較[2–7]。本次評估依然還需要選用3-T/128-MHz磁共振系統(tǒng)，主要原因是該系統(tǒng)代表目前臨床使用中最高可用的靜磁場[8]。

　　6. 1.5-T和3-T時磁共振影響的評估

　　為了確定PortRFID標(biāo)簽部分是否有功能變化或能夠承受與磁共振有關(guān)的破壞，可通過實驗來評估1.5-T和3-T靜磁場(第一部分)下的成像曝光效果，以及1.5-T/64-MHz 和3-T/128-MHz(第二部分)下不同磁共振成像情況下的曝光效果，具體如[3,4,6]所述。樣品方向和不同磁共振成像條件要包括與植入體在1.5-T/64-MHz 或 3-T/128-MHz下進行磁共振檢查時病人有關(guān)的各種可能的情況。

　　6.1 第一部分

　　將9個RFID標(biāo)簽Port樣品在三個不同方向(例如，軸向，弧矢和冠狀方向每個方向放置3個樣品)固定在一個塑料銅硫酸浸的體模上。植入體方位的選擇應(yīng)能包括進行磁共振成像時病人植入體各種可能的臨床布置情況。將附有樣品的體模放置在1.5-T和3-T磁共振系統(tǒng)中的掃描床上，進(例如，通過等角點，到掃描儀后面最遠的位置)、出(例如，大約到達磁共振系統(tǒng)開孔0.5m處)入掃描儀10次，在每個靜磁場的總輻射時間為20分鐘[3,4,6]。在每個靜磁場的總輻射時間為20分鐘。

　　6.2 第二部分

　　采用相同的方式將RFID標(biāo)簽Port的樣品放置在塑料銅硫酸浸的體模上，接受靜磁場輻射。利用發(fā)射/接收體射頻線圈和8個不同的脈沖串連續(xù)運行，每個脈沖串大概2分鐘(如表1)在1.5-T/64-MHz (賓夕法尼亞馬爾文的DHHS西門子醫(yī)療解決方案磁共振成像軟件/4, 版本：Syngo MR 2002B)和3-T/128-MHz(威斯康星州密爾沃基Milwaukee通用電氣醫(yī)療公司提供的勵磁軟件G3.0-052B)進行磁共振。(表 1) [3,4,6]。標(biāo)志位置(磁共振成像程序的中心位置或組織區(qū)域)和截面位置的選擇應(yīng)包括所有的樣品，以確保全部輻射在磁共振環(huán)境中 [3,4,6]。

　　表1 1.5-T/64-MHz和3-T/128-MHz磁共振環(huán)境下RFID標(biāo)簽Port樣品輻射所用的參數(shù)

　　(T1-SE, T1-加權(quán)自旋回波;T2-SE, T2加權(quán)自旋回波;T1-FSE, T1加權(quán)快速自旋回波;T2-FSE, T2加權(quán)快速自旋回波;GRE :梯度回波;3D：三維;FGRE :快速梯度回波;MTC：磁化傳遞對比;EPI：回波平面成像;N/A：無;GRE：梯度回波;SE : 自旋回波;SAR：比吸收率)。

　　各RFID標(biāo)簽功能在第一部分和第二部分環(huán)境之前和之后進行全面評估，并根據(jù)制造商規(guī)范進行全面評估。

　　7. 結(jié)果

　　7.1 磁場相互作用

　　有關(guān)3-T下磁場相互作用的調(diào)查結(jié)果，RFID標(biāo)簽Port的平均偏轉(zhuǎn)角為4°±0，平均扭力值是0±0。

　　7.2 磁共振導(dǎo)致的發(fā)熱

　　磁共振導(dǎo)致的發(fā)熱評估結(jié)果表明，磁共振系統(tǒng)報告的2.9-W/kg的全身平均比吸收率下15分鐘內(nèi)進行的磁共振有關(guān)的最高溫升為1.7℃。最高背景溫升為1.6℃。

　　7.3 偽影

　　表1給出了RFID標(biāo)簽Port的偽影實驗結(jié)果。偽影出現(xiàn)在低或無信號強度區(qū)域，尺寸相當(dāng)于本植入體尺寸和形狀。梯度回波的脈沖串產(chǎn)生的偽影比T1加權(quán)自旋回波脈沖串要大。圖2給出了植入體與使用梯度回波脈沖串有關(guān)的偽影示例。梯度回波圖像上顯示的偽影的最大尺寸大致為15mm，相當(dāng)于RFID標(biāo)簽Port的尺寸和形狀(詳見表2)。

　　7.4 1.5-T和3-T時的磁共振效果

　　在1.5-T和3-T靜磁場，以及在1.5-T/64-MHz 、3-T/128-MHz時不同磁共振成像環(huán)境中，RFID標(biāo)簽功能方面的評估結(jié)果表明，各RFID標(biāo)簽保持了其全部功能。各RFID標(biāo)簽上的編碼內(nèi)容沒發(fā)生明顯變化，也沒有明顯的破壞跡象。

　　圖2：帶RFID標(biāo)簽的Port(梯度回波脈沖串)在3-T輻射下的磁共振成像偽影。

　　圖A：植入體長軸方向的截面位置;圖B：植入體短軸方向的截面位置。

　　表2：RFID標(biāo)簽Port在3-T下磁共振偽影匯總

　　(T1-SE，T1-加權(quán)自旋回波;GRE :梯度回波)。

　　8. 討論

　　8.1 磁場相互作用

　　為研究RFID標(biāo)簽Port磁場互相作用所進行的實驗表明，平均偏轉(zhuǎn)角為4°，沒有任何力矩。結(jié)果與所用來生產(chǎn)植入體的粒子材料有關(guān)，包括鈦、聚砜、硅、鎢和鐵。值得注意的是，Port大多數(shù)采用非金屬材料制作，對很少的金屬成分(例如，鈦、鎢和鐵)來說，可發(fā)揮重量配平作用，結(jié)果將發(fā)生相對較弱的磁場相互作用?？紤]到這一點，不存在植入體移動或被擠出的風(fēng)險。相應(yīng)地，裝有此類植入體的病人可以采用3-T或更低的磁共振系統(tǒng)進行磁共振檢查[8]。

　　8.2 磁共振導(dǎo)致的發(fā)熱

　　磁共振成像可導(dǎo)致一些特定金屬植入體實質(zhì)性溫升，對病人造成嚴(yán)重傷害 [8].因此，作為一種常規(guī)程序，為確保帶有金屬成分植入體病人的安全，應(yīng)采用標(biāo)準(zhǔn)體外方法評估磁共振成像導(dǎo)致的發(fā)熱，該方法涉及到將植入體置于最差磁共振成像情況中(例如，將植入體置于沒有血流和血液灌注的體模上，使用相對高的全身平均比吸收率，持續(xù)15分鐘，模擬使用單脈沖串時的超長時間)時，記錄不同位置的溫升情況[1–8,10,12]。研究結(jié)果表明，在帶有RFID標(biāo)簽植入體Port處測量到的最高溫度變化值為1.6℃，需要說明的是，與植入體有關(guān)的大多數(shù)微小的金屬元素都被非金屬非導(dǎo)電性材料包圍(例如，聚砜和硅)，這在很大程度上會隔離大部分金屬元件(例如，除了相對較小的接頭外)。因此，在極端磁共振條件下磁共振導(dǎo)致的溫升不大可能發(fā)生。所記錄的溫升不會傷害本次評估中所用磁共振成像條件下帶有植入體的病人。雖然本次發(fā)熱評估中用了較高的全身體平均比吸收率(例如，全身平均比吸收率為4-W/kg)，但是該數(shù)值適合本次研究。將溫升推斷到全身平均值4-W/kg的比吸收率，可得到2.3℃的溫升，該數(shù)值在評估人體(特別是考慮與熱環(huán)境或運動有關(guān)的人體溫升的情況)的溫升時仍然可以被接受，而且考慮了進行診斷性磁共振成像檢查的重要性。

　　8.3 偽影

　　如果考慮該植入體的外觀后(圖1)，令人意外的是，帶有RFID標(biāo)簽的植入體Port偽影的范圍較大，這說明與非金屬元件相比，它似乎有更少的金屬元件。帶有RFID標(biāo)簽的植入體Port偽影的范圍較大，這說明與非金屬元件相比，它似乎有更少的金屬元件(圖 1)。但是，由于鐵元素的存在，即使很少的鐵元素(因為鐵具有較高的磁化率)也會很大程度上影響偽影的大小[11]。例如，Shellock等人[12] 報告稱，使用鐵芯的微型模擬器(圓柱形，直徑2.4mm，長度16mm，在長軸方向形成3310mm2的梯度回波偽影，而在短軸方向形成3214 mm2的梯度回波偽影)上出現(xiàn)相對較大的偽影。

　　然而，從實踐角度來看，如果受影響的圖像區(qū)域位于該裝置植入處(例如鎖骨下區(qū)域的皮下囊袋)，RFIDPort上形成的磁共振偽影只代表可能的情況。如果出現(xiàn)此類問題，對脈沖串參數(shù)的優(yōu)化也可減弱與該植入體有關(guān)的偽影的大小[13]。

　　8.4 1.5-T和3-T靜磁場輻射及1.5-T/64-MHz和3-T/128-MHz下磁共振輻射效果

　　RFID標(biāo)簽對于經(jīng)過電磁環(huán)境輻射后依然能保持其性能的設(shè)施非常重要，尤其是與磁共振系統(tǒng)有關(guān)的惡劣電磁環(huán)境。因此，描述屬于醫(yī)學(xué)植入體一部分的RFID標(biāo)簽功能的特征非常重要，因為此項特征也屬于對該設(shè)施進行磁共振實驗的一部分。本次研究中輻射在磁場(1.5-T和3-T)中以及1.5-T/64-MHz 和 3-T/128-MHz下的不同磁共振環(huán)境中每個RFID標(biāo)簽保持了其正常功能，沒有出現(xiàn)數(shù)據(jù)破壞或損壞的跡象。Steffen 等人 [1]的報告也報道了與1.5-T和3-T下對各類RFID標(biāo)簽實驗研究有關(guān)的類似結(jié)果，但警告說此結(jié)果只針對正在進行實驗的RFID標(biāo)簽[1]。與磁共振系統(tǒng)頻率相比， RFID標(biāo)簽的頻率應(yīng)納入考慮范圍以確保掃描儀運行期間不產(chǎn)生任何干擾[1]。

　　8.5 可能的局限性

　　對帶有RFID標(biāo)簽的Port進行的實驗只涉及1.5-T/64-MHz 和3-T/128-MHz磁共振系統(tǒng)。因此，可能存在的負(fù)面互相作用尚未知，特別是與RFID標(biāo)簽功能方面有關(guān)的負(fù)面互相作用可能與在掃描儀上下發(fā)生作用的特殊靜磁場的長度及頻率有關(guān)。是否使用工作在其他場長度和頻率下的磁共振系統(tǒng)檢查有植入體的病人，應(yīng)由經(jīng)過磁共振成像培訓(xùn)的放射科醫(yī)生做出決定，并綜合考慮磁共振檢查的風(fēng)險與好處。此外，磁共振環(huán)境(例如，重復(fù)多次輻射超過本次研究所述環(huán)境下要求的輻射)對RFID功能的影響不屬于本次研究的范疇，這也屬于可能存在的局限。

　　9.結(jié)論

　　對帶有RFID標(biāo)簽的新Port進行了磁場相互作用下磁共振有關(guān)的發(fā)熱偽影綜合實驗，確定了與1.5和3-T下磁共振系統(tǒng)有關(guān)條件下RFID標(biāo)簽的性能是否受到影響?；趯嶒灲Y(jié)果，該植入體適合[或使用當(dāng)前磁共振標(biāo)簽術(shù)語——磁共振條件下]讓病人接受1.5-T/64-MHz 和 3-T/128-MHz下的磁共振成像檢查。

　　致謝

　　特別感謝SamValencerina, B.S和 R.T.對磁共振實驗方法提供的大力、寶貴而又專業(yè)的支持!