射頻前端技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)5G終端發(fā)展
5G時(shí)代,終端成為各行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。終端是最接近用戶的部分,直接影響用戶的5G體驗(yàn)。而在智能終端中,射頻前端模塊先行,射頻前端模塊的技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)了移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展。在5G時(shí)代的潮流中,射頻前端模塊也在進(jìn)行著新一輪的技術(shù)革新。Qorvo作為射頻前端模塊領(lǐng)域的重量級(jí)玩家之一,在射頻前端模塊上進(jìn)行了全面技術(shù)更新。
為深入了解Qorvo在PAMiD及自屏蔽技術(shù)方面的創(chuàng)新,通信世界全媒體記者采訪了Qorvo封裝新產(chǎn)品工程部副總監(jiān)趙永欣(York Zhao)和Qorvo華北區(qū)應(yīng)用工程經(jīng)理張杰(Fiery Zhang)。
5G使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新一輪變革
5G時(shí)代的到來(lái)為智能手機(jī)帶來(lái)了新的增長(zhǎng)機(jī)會(huì),據(jù)Strategy Analytics近日發(fā)布的最新報(bào)告顯示,今年一季度全球5G手機(jī)需求大漲,其首季出貨量超過(guò)去年的1870萬(wàn)部,達(dá)到至2410萬(wàn)部。
巨大的5G手機(jī)市場(chǎng)增量給射頻前端的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)。據(jù)了解,無(wú)線通信模塊包括了天線、射頻前端模塊、射頻收發(fā)模塊和基帶信號(hào)處理器四個(gè)部分。其中射頻前端和天線是屬于量?jī)r(jià)均升,需求量急劇擴(kuò)大的領(lǐng)域。同時(shí),在5G時(shí)代,信號(hào)頻段數(shù)量大幅增加,隨之需要的組成部件數(shù)量也大幅增加,同時(shí)5G通訊設(shè)備需要向下兼容4G和3G,因此增量市場(chǎng)相當(dāng)可觀。
但是機(jī)遇伴隨著挑戰(zhàn),5G智能手機(jī)的發(fā)展為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新一輪的技術(shù)變革。5G時(shí)代,移動(dòng)設(shè)備能夠使用的頻段逐漸增多,這也意味著需要增加更多的射頻元件。射頻前端器件的數(shù)量增加導(dǎo)致手機(jī)內(nèi) PCB 空間緊張,工藝難度提升,這也導(dǎo)致射頻前端的復(fù)雜性呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
關(guān)于射頻前端設(shè)計(jì)遇到的挑戰(zhàn),張杰表示:“5G射頻前端的設(shè)計(jì)難度比4G要大得多。一是5G手機(jī)要向下兼容2G、3G、4G,需要支持的頻段增加;二是5G設(shè)備集成的器件更多,對(duì)產(chǎn)品尺寸提出了新的要求;三是5G手機(jī)對(duì)線性度、EVM等性能要求大大提高。所以5G射頻前端的設(shè)計(jì)難度大大增加?!?/p>
LNA集成到PAMiD已成趨勢(shì)
為了解決5G時(shí)代射頻前端遇到的諸多挑戰(zhàn),射頻企業(yè)開(kāi)展了深入的研究工作。隨著射頻前端模塊技術(shù)的成熟以及市場(chǎng)的需求,自2016年以來(lái),市場(chǎng)中主要的射頻前端都開(kāi)始向模塊化方向發(fā)展,雙工器、天線開(kāi)關(guān)等幾大模塊開(kāi)始被集成到射頻前端中。期間,射頻前端模塊也發(fā)展出了數(shù)種類別,包括ASM、FEMiD、PAMiD等。其中,目前模組化程度最高的是PAMiD,主要集成了多模多頻的PA、RF 開(kāi)關(guān)及濾波器等元件。對(duì)于手機(jī)廠商來(lái)說(shuō),PAMiD的出現(xiàn)讓射頻前端從以前一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程變得更加簡(jiǎn)單。
而伴隨著 5G 時(shí)代的來(lái)臨,手機(jī)所需的PAMiD也正在持續(xù)進(jìn)行著整合。Qorvo 作為全球射頻領(lǐng)域的佼佼者,其利用高度集成的中頻/高頻模塊解決方案,已經(jīng)為多家智能手機(jī)制造商提供了廣泛的新產(chǎn)品發(fā)布支持。
“Qorvo致力于發(fā)展集成化的PAMiD方案,把PA、濾波器,開(kāi)關(guān),甚至LNA(低噪放)也集成進(jìn)去。致力于給客戶提供更簡(jiǎn)單、性能更好、更適應(yīng)他們產(chǎn)品的解決方案?!睆埥鼙硎?。
對(duì)于PAMiD的未來(lái)發(fā)展前景,Qorvo認(rèn)為,將LNA集成到PAMiD中是推動(dòng)射頻前端模塊繼續(xù)發(fā)展的重要?jiǎng)恿χ弧S袌?bào)道指出,隨著5G商業(yè)化落地,智能手機(jī)中天線和射頻通路的數(shù)量將顯著增多,對(duì)射頻低噪聲放大器的數(shù)量需求會(huì)迅速增加,而手機(jī) PCB 卻沒(méi)有更多的空間。在這種情況下,將LNA集成到PAMiD中成為了行業(yè)的一種發(fā)展趨勢(shì)。Qorvo表示,從PAMiD 到L-PAMiD,射頻前端模塊可以實(shí)現(xiàn)更小尺寸,支持更多功能。
RF自屏蔽技術(shù)將在5G時(shí)代發(fā)揮更大的作用
Qorvo對(duì)射頻前端進(jìn)行的創(chuàng)新不止是將LNA集成到PAMiD,Qorvo還推出了Micro Shield自屏蔽技術(shù)。
“自屏蔽的技術(shù)可以進(jìn)一步的改善手機(jī)板上設(shè)計(jì)的時(shí)候相互干擾的問(wèn)題。一方面可以節(jié)省很多客戶在手機(jī)設(shè)計(jì)時(shí)的工作量,另一方面,它也可在一定程度上排除機(jī)械的屏蔽罩對(duì)器件的影響?!睆埥苷f(shuō)。
據(jù)了解,蜂窩發(fā)射模塊對(duì)手機(jī)內(nèi)的任何元件來(lái)說(shuō)都將產(chǎn)生輻射功率,從而可能誘發(fā) EMI 和 RFI干擾,這就需要 RF 屏蔽技術(shù)來(lái)降低 EMI 及 RFI 相關(guān)的輻射。在過(guò)去,射頻前端模塊采用外置機(jī)械屏蔽罩的方式進(jìn)行 RF 屏蔽,但采用外置機(jī)械屏蔽罩的方式可能會(huì)導(dǎo)致靈敏度下降,也可能會(huì)導(dǎo)致諧波升高。5G 時(shí)代的到來(lái),手機(jī) PCB 的空間變得越來(lái)越緊張,更小的模塊設(shè)計(jì)成為了手機(jī)元件未來(lái)發(fā)展的方向之一,因此用 RF 自屏蔽技術(shù)來(lái)代替厚重的機(jī)械屏蔽罩成為行業(yè)潮流。在這種市場(chǎng)需求下,Qorvo所推出的Micro Shield自屏蔽技術(shù)的優(yōu)勢(shì)凸顯。
Qorvo推出的Micro Shield自屏蔽技術(shù),是在模塊的表面再涂一層合金,取代原來(lái)外置的機(jī)械屏蔽罩,以起到屏蔽干擾信號(hào)的作用。據(jù)相關(guān)報(bào)道顯示,最早一代的 Micro Shield 技術(shù)可將當(dāng)時(shí)RF的高度和體積分別降低 15% 和 25%。這也使得采用 Micro Shield 技術(shù)的手機(jī)制造商能夠在更小的板級(jí)空間上,獲得更高的 RF 性能。
“在最近的生產(chǎn)實(shí)踐中,我們也在逐步地改善目前這種選擇性的屏蔽技術(shù),讓它的質(zhì)量和工藝穩(wěn)定性更好,實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。我相信將來(lái)還會(huì)有更多的產(chǎn)品采用這種技術(shù)?!壁w永新講到。
Micro Shield自屏蔽技術(shù)將在5G時(shí)代發(fā)揮更大的作用。結(jié)合5G時(shí)代的集成化趨勢(shì)來(lái)看,Micro Shield自屏蔽技術(shù)將有助于L-PAMiD的進(jìn)一步發(fā)展。伴隨著5G時(shí)代對(duì)L-PAMiD需求的增加,如果外置機(jī)械屏蔽罩設(shè)計(jì)不正確,L-PAMiD的靈敏度將會(huì)受到嚴(yán)重的影響。因此,受惠于5G時(shí)代的來(lái)臨,Micro Shield自屏蔽技術(shù)的價(jià)值將得以放大。經(jīng)過(guò)優(yōu)良設(shè)計(jì)的自屏蔽模組,能夠?qū)NA區(qū)域的表面電流減少100倍。
技術(shù)創(chuàng)新將向中低端手機(jī)延伸
從Qorvo在射頻前端的發(fā)展路線圖來(lái)看,將LNA集成到PAMiD中以及采用自屏蔽技術(shù)將是手機(jī)射頻前端模塊未來(lái)發(fā)展的兩個(gè)重要方向。
但由于技術(shù)創(chuàng)新尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),就目前市場(chǎng)情況來(lái)看,PAMiD是高度整合的定制模組,雖然它能夠帶來(lái)足夠高的性能體驗(yàn),但由于其成本高,因此也僅有少數(shù)廠商選用。同樣,Micro Shield自屏蔽技術(shù)也是由于成本原因,而往往僅被高端手機(jī)所采用。但是伴隨著 5G 時(shí)代的到來(lái),采用 Micro Shield 自屏蔽技術(shù)的 L-PAMiD 顯然能夠?yàn)閺S商帶來(lái)更大的價(jià)值,這也就意味著這種射頻前端模塊在中低端手機(jī)領(lǐng)域還有很大的發(fā)展空間。
伴隨著 Micro Shield 自屏蔽技術(shù)在工藝上的改進(jìn),Qorvo指出,這種技術(shù)的成本有望進(jìn)一步降低。同時(shí),L-PAMiD 的成本也會(huì)隨著技術(shù)的成熟而降低。按照這種發(fā)展趨勢(shì),采用Micro Shield自屏蔽技術(shù)的L-PAMiD將會(huì)逐漸被中低端手機(jī)所接受。Qorvo預(yù)計(jì),在今年下半年,市場(chǎng)中就會(huì)有中低端手機(jī)采用這種射頻前端模塊。