7月4日，南通開發(fā)區(qū)隆重舉辦了江蘇鈦昇科技有限公司的開業(yè)及投產(chǎn)慶典活動(dòng)。江蘇鈦昇由臺(tái)灣鈦昇科技股份有限公司投資創(chuàng)建，坐擁28畝廣闊土地，總建筑面積達(dá)3.2萬平方米。江蘇鈦昇自2019年11月成立以來，已累計(jì)投入資金1.5億元人民幣，專注于半導(dǎo)體封裝設(shè)備的研發(fā)、制造與市場(chǎng)推廣，引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新。

江蘇鈦昇母公司臺(tái)灣鈦昇科技股份有限公司創(chuàng)立于1994年，市值4.45億美元，是英特爾指定的雷射改質(zhì)設(shè)備供應(yīng)商，主要為英特爾提供雷射和電漿設(shè)備，目前是英特爾在臺(tái)灣地區(qū)唯一的設(shè)備供應(yīng)商。臺(tái)灣鈦昇2023年銷售額將近4億元，是一家擁有約540名員工的國(guó)際化企業(yè)，業(yè)務(wù)版圖橫跨全球，不僅在泰國(guó)、馬來西亞、菲律賓、越南、美國(guó)及歐洲等地設(shè)有分支機(jī)構(gòu)與辦事處，還構(gòu)建了覆蓋國(guó)內(nèi)外乃至北美洲、歐洲、東南亞等區(qū)域知名半導(dǎo)體企業(yè)的廣泛客戶網(wǎng)絡(luò)。江蘇鈦昇在電漿、雷射、視覺檢測(cè)（AOI）、精密點(diǎn)膠等核心技術(shù)方面擁有較強(qiáng)實(shí)力，這些技術(shù)在IC封裝、LED封裝、FPC制造及觸控面板制造等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。特別是在雷射打印機(jī)、切割、鉆孔及軟性電子材料制程（Roll to Roll）方面，江蘇鈦昇處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

切入RFID領(lǐng)域

在4日的開業(yè)慶典上，江蘇鈦昇總經(jīng)理張光明先生表示公司將電漿切割技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步拓展，涉足RFID及分立式元件的代工服務(wù)，旨在向臺(tái)灣及中國(guó)大陸的客戶群體提供高效解決方案。預(yù)計(jì)該業(yè)務(wù)將于8月正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，為公司帶來顯著的營(yíng)收增長(zhǎng)與利潤(rùn)提升。張光明總經(jīng)理強(qiáng)調(diào)，當(dāng)前晶圓切割的線寬普遍約為70微米，而采用電漿切割技術(shù)后，這一數(shù)值可大幅縮減至5-10微米。這一技術(shù)突破不僅將單一晶圓片產(chǎn)出的顆粒數(shù)量顯著提高30%至40%，還優(yōu)化了良品率，因此已經(jīng)獲得臺(tái)灣多家RFID芯片設(shè)計(jì)業(yè)者與大陸多家RFID客戶的青睞。

關(guān)于生產(chǎn)效率，江蘇鈦昇指出，傳統(tǒng)雷射切割技術(shù)處理一片晶圓需耗時(shí)3小時(shí)，而電漿切割技術(shù)則能顯著縮短這一時(shí)間，為快速響應(yīng)RFID與Discrete市場(chǎng)需求提供了有力支持。初期，公司將以6/8英寸晶圓為試產(chǎn)對(duì)象，并逐步向8/12英寸晶圓過渡。為加速市場(chǎng)布局，公司計(jì)劃在年底前建立起兩條生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)總產(chǎn)能可達(dá)每月1.5萬片晶圓。

晶圓切割技術(shù)哪家強(qiáng)

RFID晶片的切割方式主要遵循半導(dǎo)體芯片的通用切割方法，并結(jié)合RFID晶片的具體特性和要求進(jìn)行調(diào)整。一般來說，RFID晶片的切割方式可以歸納為以下幾種：

1. 機(jī)械切割

金剛石刀片切割：這是晶圓劃片中最傳統(tǒng)和常用的一種方法。金剛石刀片在高速旋轉(zhuǎn)下對(duì)晶圓進(jìn)行切割，而產(chǎn)生的熱量與碎屑被水流帶走。這種方法操作簡(jiǎn)單，適合各種材料的晶圓，但劃片精度相對(duì)較低，且不適合太薄的晶圓。

DBG工藝：這是日本Disco公司獨(dú)有的技術(shù)，指先將晶圓正面劃片至指定深度（未切透晶圓），然后再把晶圓背部研磨到對(duì)應(yīng)的切割深度，以減少晶圓破裂的問題。這種方法結(jié)合了機(jī)械切割和研磨工藝，提高了切割的精度和穩(wěn)定性。

2. 激光切割

激光隱切（Laser Stealth Dicing）：這是一種高精度、非接觸式、無損傷的切割技術(shù)。它利用激光加工的特性，在晶圓內(nèi)部形成有序的熱應(yīng)力場(chǎng)，最終形成一個(gè)有微缺陷、可斷離的薄層，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓的劃片。激光隱切可以避免對(duì)晶圓表面的直接破壞，且切割精度高、效率高，適用于軟薄的半導(dǎo)體材料。

激光全切：激光束直接照射在晶圓表面，貫穿整個(gè)晶圓厚度，完全切斷晶圓，直接分離出單個(gè)芯片。這種方法可以精確控制激光的功率、焦點(diǎn)和速度，以適應(yīng)不同的材料和厚度要求。與激光隱切不同，激光全切不需要后續(xù)的膠帶擴(kuò)展步驟來分離芯片。

3. 其他特殊切割方法

離子注入切割：通過離子注入技術(shù)在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層，然后通過加熱、化學(xué)刻蝕等方式分離改質(zhì)層和晶圓。這種方法操作復(fù)雜，但可以實(shí)現(xiàn)高精度的切割，并且對(duì)晶圓表面的損傷較小。

水刀切割：雖然水刀切割在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用相對(duì)較少，但在某些特殊情況下，如需要切割極薄的晶圓或處理易碎材料時(shí)，水刀切割可能是一種有效的選擇。水刀通過高壓水流攜帶細(xì)小的磨粒來切割材料，具有無熱損傷、切割精度高的特點(diǎn)。

電漿切割流程（圖源：Disco）

而電漿切割是一種在真空環(huán)境下進(jìn)行的干式蝕刻加工技術(shù)，主要用于將晶圓制作成晶粒（晶?；ｋ姖{切割通過電源產(chǎn)生的高電壓電離空氣，形成等離子體。等離子體具有高能量、高活性等特點(diǎn)，能夠迅速對(duì)材料進(jìn)行熔融、切割等加工處理。在電漿切割機(jī)中，噴嘴和電極之間的高電壓使空氣電離成等離子體，真空系統(tǒng)再將等離子體中的氣體抽出，增加其密度，最后通過噴嘴噴射到加工工件上，實(shí)現(xiàn)切割目的。具體來說，電漿切割有如下優(yōu)勢(shì)：

高速高效：電漿切割技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)高速切割，提高生產(chǎn)效率。

高精度：由于電漿切割是化學(xué)反應(yīng)過程，因此可以實(shí)現(xiàn)高精度的切割，滿足對(duì)晶粒尺寸和形狀的高要求，并提高單晶產(chǎn)量。

無損傷：不會(huì)產(chǎn)生機(jī)械破壞和熱影響，有助于保持晶粒的完整性和性能。

適用性強(qiáng)：適用于分立元件、RFID等產(chǎn)品，以及對(duì)于小晶粒元件需求量高的便攜式設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。此外，對(duì)于追求零缺陷的車用半導(dǎo)體元件等需要高品質(zhì)加工的元件，也適用電漿切割的方式。

鑒于RFID產(chǎn)品的成本敏感性及大規(guī)模生產(chǎn)需求，江蘇鈦昇的電漿切割技術(shù)大幅提升生產(chǎn)效率和幫助客戶有效降低生產(chǎn)成本的優(yōu)勢(shì)，有望讓其在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)環(huán)境中占據(jù)有利地位。 

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