荷蘭恩智浦(NXP)半導體公司周二表示，已在美國亞利桑那州錢德勒市(Chandler)開設了一家工廠，生產用于5G電信設備的氮化鎵芯片。

該生產線已經雇傭約100名員工從事氮化鎵(GaN)的制造工作，專門用于5G RF功率放大器。該工藝技術可以用于在6英寸晶圓上生產單片微波集成電路，由于對發(fā)射功率的特殊要求，5G基站對功率放大器提出了更多需求。氮化鎵憑借高頻、高輸出功率的優(yōu)勢，正在5G基站功率放大器領域得到越來越廣泛的應用。

恩智浦首席執(zhí)行官庫爾特·西弗斯(Kurt Sievers)在主題演講中說：“今天標志著恩智浦的一個重要里程碑。通過在亞利桑那州建立這一令人難以置信的設施并挖掘關鍵人才，我們能夠將注意力集中在GaN技術上，作為驅動下一代5G基站基礎設施的一部分。”

氮化鎵是硅的替代品。這種材料是5G網絡中的一個關鍵成分，因為它可以處理5G網絡中使用的高頻，同時比其他芯片材料消耗更少的功率和占用更少的空間。隨著5G的發(fā)展，每個5G天線所需的射頻解決方案的密度呈指數(shù)級增長,但必須保持相同的尺寸并降低功耗。GaN功率晶體管已成為滿足這些需求的最佳選擇，大大提高了功率密度和效率。

該公司表示，新工廠將有一個研究和開發(fā)中心，以幫助工程師加速氮化鎵半導體的開發(fā)和專利申請。

恩智浦表示，預計該廠將于年底前達到全部生產能力。