上海 2011-05-27(中國(guó)商業(yè)電訊)－－Integrated Silicon Solution, Inc. 成為Micron 的第二貨源供應(yīng)商伙伴

Micron Technology, Inc.（Nasdaq 代碼：MU）今日宣布開始提供其第三代低延時(shí) DRAM 初期工程（RLDRAM 3 內(nèi)存）樣品。第三代低延時(shí) DRAM 內(nèi)存是一種高帶寬的內(nèi)存技術(shù)，支持網(wǎng)絡(luò)信息的高效傳輸。它專門為高性能網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序量身定做，可支持需要連續(xù)讀寫作業(yè)或完全隨機(jī)存取的高端路由器及交換機(jī)，因此對(duì) 40千兆 和 100千兆以太網(wǎng)(GbE),包緩沖、檢測(cè)和查找表作業(yè)而言都是最理想的選擇。除此之外，第三代低延時(shí) DRAM 內(nèi)存在速度、密度、延遲時(shí)間和耗能方面也都有大幅改善。

IP 電視和視頻點(diǎn)播這類基于互聯(lián)網(wǎng)的視頻服務(wù)不斷擴(kuò)增，加上移動(dòng)應(yīng)用程序和云計(jì)算的興起，使得網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的效率必須不斷提高，以適應(yīng)在線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量的需求。第三代低延時(shí) DRAM 內(nèi)存為網(wǎng)絡(luò)客戶提供結(jié)合了高帶寬和低延遲時(shí)間的解決方案，支持如 100 GbE 等更高的協(xié)定速度。

第三代低延時(shí) DRAM 內(nèi)存可持續(xù)維持高達(dá) 2133 Mb/s 的數(shù)據(jù)速率，并提供業(yè)界最低隨機(jī)存取延遲時(shí)間10 納秒（nanoseconds），另通過(guò)應(yīng)用 1.2V IO 電源和 1.35V 內(nèi)核電壓提高用電能效。

Micron DRAM 解決方案事業(yè)群網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門總監(jiān) Bruce Franklin 說(shuō)：“在 Micron，我們了解今日客戶為支持更大的數(shù)據(jù)量，在優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和處理相關(guān)復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施變革方面面臨了許多壓力。第三代低延時(shí) DRAM 內(nèi)存是結(jié)合低延遲時(shí)間和高帶寬的解決方案，為客戶不斷演進(jìn)的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存需求提供充足的運(yùn)作空間。”

Micron 今日也宣布，Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 將成為其第三代低延時(shí) DRAM 內(nèi)存的另一家供應(yīng)商，以確保滿足市場(chǎng)貨量需求，并與網(wǎng)絡(luò)客戶建立長(zhǎng)遠(yuǎn)關(guān)系。

ISSI戰(zhàn)略營(yíng)銷總監(jiān) Pat Lasserre 說(shuō)：“通過(guò)與 Micron 的緊密合作，我們將能共同滿足客戶對(duì)第三代低延時(shí) DRAM 內(nèi)存的需求。公司新增了該產(chǎn)品線后，將能夠符合客戶為適應(yīng)100 GbE 網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)，而對(duì)專門化、高性能內(nèi)存技術(shù)的長(zhǎng)期支持所產(chǎn)生的需求。”


產(chǎn)品訂購(gòu)

有關(guān)訂購(gòu)第三代低延時(shí) DRAM 內(nèi)存樣本相關(guān)信息可在本公司網(wǎng)站上取得。Micron 預(yù)計(jì)第三代低延時(shí) DRAM 內(nèi)存將于 2011 年下半年開始量產(chǎn)。

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Micron簡(jiǎn)介

Micron Technology, Inc.是領(lǐng)導(dǎo)全球的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商。通過(guò)全球化的運(yùn)營(yíng)，Micron公司制造并向市場(chǎng)推出 DRAM、NAND 和 NOR 閃存、其他創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)、封裝解決方案和半導(dǎo)體系統(tǒng)，用于前沿計(jì)算、消費(fèi)品、網(wǎng)絡(luò)、嵌入和移動(dòng)便攜產(chǎn)品。Micron 普通股于 NASDAQ 納斯達(dá)克股市交易，代碼為 MU 。取得更多關(guān)于 Micron Technology, Inc.的信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)： www.micron.com.

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©2011 Micron Technology, Inc.保留所有權(quán)利。信息可能在未告知的情況下進(jìn)行變更。“Micron”和 Micron 商標(biāo)是屬于 Micron Technology, Inc. 的注冊(cè)商標(biāo)。所有其他商標(biāo)為屬于其所有者的商標(biāo)。

本新聞稿包含關(guān)于第三代低延時(shí) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品生產(chǎn)的前瞻性陳述。實(shí)際情況或結(jié)果可能與這些前瞻性陳述所含內(nèi)容產(chǎn)生顯著差異。請(qǐng)參考 Micron 公司在并表基礎(chǔ)上不時(shí)向美國(guó)證券交易委員會(huì)呈報(bào)的文件，特別是公司最新的 10-K 表和 10-Q 表。這些文件含有并明確了可能導(dǎo)致公司在合并報(bào)表基礎(chǔ)上的實(shí)際業(yè)績(jī)與我們的前瞻性陳述中所含內(nèi)容產(chǎn)生重大差異的重要因素（參見“已知因素”章節(jié)）。盡管我們認(rèn)為前瞻性陳述中反映的期望是合理的，但我們不能對(duì)未來(lái)業(yè)績(jī)、活動(dòng)水平、表現(xiàn)或成績(jī)做出保證。


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