識別卡無觸點集成電路卡第1部分：物理特性
　　Identificationcards－Contactlessintegrated
　　cicuit(s)cardsPart1:Physicalcharacteristics

　　1 范圍
　　本標準描述了無觸點集成電路卡(CICC)的物理特性。它適用于ID－1型識別卡。
　　本標準適用于具有不使用導電觸點向CICC傳送電源、時鐘信號和數(shù)據(jù)信號，并從CICC接收數(shù)據(jù)的物理接口。本標準不定義無觸點接口的性質(zhì)、數(shù)目和位置。
　　附錄A包括針對某種要求的測試方法和驗收準則。
　　注1：提供不同操作距離、樣式或接口的其它類型無觸點集成電路卡的未來發(fā)展將要求對本標準進行補充，或者導致制定另外的國家標準。
　　2 引用標準
　　下列標準中所包含的條文，通過在本標準中引用而構(gòu)成為本標準的條文。本標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。
　　ISO7810：1985識別卡物理特性
　　ISO7811－1：1985識別卡記錄技術(shù)第1部分：凸字
　　ISO7811－2：1985識別卡記錄技術(shù)第2部分：磁條
　　ISO7811－3：1985識別卡記錄技術(shù)第3部分：ID－1卡上凸印字符的位置
　　ISO7811－4：1985識別卡記錄技術(shù)第4部分：只讀磁道的第1磁道和第2磁道的位置
　　ISO7811－5：1985識別卡記錄技術(shù)第5部分：讀寫磁道的第3磁道的位置
　　ISO/IEC7812－1：1994識別卡發(fā)卡者標識第1部分：編號體系
　　ISO/IEC7812－2：1994識別卡發(fā)卡者標識第2部分：申請和注冊程序
　　ISO7816－2：1987識別卡帶觸點的集成電路卡第1部分：物理特性
　　ISO7816－2：1988識別卡帶觸點的集成電路卡第2部分：觸點的尺寸和位置
　　ISO7813－3：1985識別卡金融交易卡
　　3 定義
　　下列定義適用于ISO/IEC10536的本部分：
　　3.1集成電路[IC]integratedcircuit(s)
　　為執(zhí)行處理和/或存儲、輸入/輸出控制功能而設計的電子器件。
　　3.2無觸點contactless
　　不使用導電元件實現(xiàn)卡的供電和信號變換(即：在卡上的集成電路與外部接口設備間不存在直接的通路)。
　　3.3無觸點集成電路卡[CICC]contactlessintegratedcircuit(s)card[CICC]
　　內(nèi)部封裝集成電路，并且集成電路以無觸點方式連接(如ISO7810、ISO7811第1至第5部分、ISO7813中描述的)ID－1型卡。
　　3.4卡耦合設備[CCD]cardcouplingdevice[CCD]
　　用于向CICC提供電源和時鐘信號并與它進行數(shù)據(jù)交換的設備。
　　4 物理特性
　　4.1一般特性
　　CICC應符合ISO7810和ISO781W中對ID－1型卡所規(guī)定的物理特性。然而，厚度規(guī)格應適用于無凸印的CICC。
　　注：2適用于這些特性中的某些特性的測試方法在附錄A中說明。
　　3關于“耐化學性”(見ISO7810的5.1.4)，發(fā)卡方應注意這種事實，即污染會導致保存在磁條或集成電路中的信息無效。
　　4.2附加特性
　　4.2.1紫外線
　　本標準不包括保護CICC不受到超出正常水平劑量紫外線的影響。需要加強防護的部分應是卡制造商的責任并應注明可以承受紫外線的程度。
　　4.2.2X射線
　　CICC的任何一面曝光0.1Gyyr－1劑量，相當于70kev至140kev的中等劑量X射線(每年的累積劑量)，應不引起CICC的失效。
　　注4：這相當于人每年最大可接收劑量的兩倍。
　　4.2.3表面斷面
　　對應于安裝有集成電路的無觸點接口區(qū)和其相鄰的卡表面，在水平上變動范圍應是卡表面以上0.05mm和卡表面以下0.1mm范圍。
　　4.2.4機械強度
　　按照第A1和A2所述方法進行測試時，CICC應滿足其所規(guī)定的驗收準則。
　　4.2.5電磁兼容性
　　CICC的構(gòu)造應符合下述要求：
　　a)由CICC單獨或與其耦合設備配合使用產(chǎn)生的電磁干擾，應不超過容易使無線通信設備和其他儀器不正常工作的水平。
　　b)它具有保持其自身正常工作的抗電磁干擾的適當能力。
　　4.2.6磁條和電子元件之間的電磁干擾
　　如果卡帶有磁條，應提供使卡上的電子元件在磁條讀、寫或擦除后不應被損壞、失效或改變的保護。也應提供相反的防護措施，以保證無觸點卡的操作不會引起磁條的失效。
　　4.2.7帶觸點接口和電子部件間的電子和電氣干擾
　　如果卡帶有觸點接口，應提供防護以便卡中的電子部件不會因觸點接口的使用而損壞或被無意改變。反之，也應提供保護使得卡的觸點操作不致引起帶觸點接口的失效。
　　4.2.8磁場
　　CICC在79.5kA/m靜態(tài)磁場中暴露后，無觸點接口和集成電路應繼續(xù)正常工作。
　　警告：這種磁場可能會擦除磁條上的數(shù)據(jù)內(nèi)容。
　　4.2.9靜電
　　當按照A3測試時，CICC的性能不能降低。
　　4.2.10操作溫度
　　CICC被設計并制造為環(huán)境溫度在0℃至50℃之間。
　　4.2.11表面溫度
　　操作中的CICC表面任何部分的溫度不應超過85℃。
　　附錄A測試方法(提示的附錄)A1彎曲特性
　　A1.1過程
　　把CICC放在機器的兩個夾頭中間，如圖A1所示。彎曲
　　a)長邊橈度f為20mm，彎曲30次/分；然后
　　b)短邊橈度f為10mm，彎曲30次/分。
　　每彎曲125次，在讀、寫狀態(tài)下檢驗CICC的功能。然后將CICC放在機器上并以另一面向上重復上述過程。推薦測試持續(xù)時間：在四個測試方向的每個方向上，每次至少操作250次/分。
　　A1.2驗收準則
　　在四個測試方向上都進行各250次彎曲后，CICC應保持其功能完好，且不應顯示出任何破裂。
　　智能卡應用全書·標準篇
　　A2.1過程
　　把CICC放在機器中，對其短邊進行扭曲，交替變換方向，速率為30次/分，最大偏差15℃±1°(見圖A2)。每扭曲125次，(在適當?shù)?讀、寫狀態(tài)下檢驗CICC正常功能。
　　A2.2驗收準則
　　在1000次扭曲后，CICC應保持其功能完好，且不應顯示出任何破裂。
　　A.3靜電
　　A3.1過程
　　連續(xù)對20個測試區(qū)的每一個進行放電，每次放電間隔10s，如圖A3所示，將一個初始充電到10KV、100pF的電容器經(jīng)過500Ω的電阻器進行放電；在一個極性放電之后，再按相反極性放電。
如果卡有觸點，進行上述測試應以不通過這些觸點放電的方式進行，即：探針應不通過觸點。
注5：在測試期間CICC的表面不應有圖案設計或表面安裝的金屬貼片。
　　A3.2認可標準
　　在測試開始和結(jié)束時，檢測讀、寫狀態(tài)下的集成電路功能?！?BR>
　　ISO/IEC10536－2：1995

　　識別卡——無觸點集成電路卡
　　第2部分：耦合區(qū)的尺寸和位置
　　Identificationcards－Contactlessintegratedcircuit(s)Cards
　　Part2:DimensionsandLocationofcouplingareas

　　1 范圍
　　ISO/IEC10536的本部分規(guī)定了為使檀隙或表面的卡耦合裝置和11)－1型無觸點集成電路卡相接口而提供的每個耦合區(qū)的尺寸、位置、性質(zhì)和分配。
　　ISO/IEC10536的本部分不規(guī)定：
　　CICC上的耦合元件的尺寸、位置及其分配；
　　CCD上耦合元件的尺寸、位置及其分配；
　　產(chǎn)生耦合場的手段。
　　ISO/IEC10536的本部分和ISO/IEC10536－1一起使用。
　　附錄A示出了用于與CICC相關的場位置的X和Y軸的確定。
　　附錄B示出了CICC和CCD兩者耦合元件的例子。
　　ISO/IEC10536的本部分通篇所使用的尺寸都是以毫米為單位表示的標稱值，所示的圖不按比例尺描繪。
　　注1)其他類型的無觸點集成電路卡、格式或提供各種操作距離的接口可以在將來進行開發(fā)，它將需要對ISO/IEC10536的本部分進行增補，或要求制訂其他國際標準。
　　2 引用標準
　　下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構(gòu)成本標準的條文。本標準出版時，所示版本均為有效版本。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用上列標準最新版本的可能性。
　　ISO/IEC7810：1995識別卡物理特性
　　ISO/IEC10536－1：1992識別卡無觸點集成電路卡第1部分：物理特性。
　　
　　3 定義、縮略語及符號
　　
　　3.1定義
　　ISO/IEC10536－1中給出的定義及下列定義適用于ISO/IEC10536本部分。
　　3.1.1電感性耦合區(qū)inductivecouplingarea
　　具有確定有助于驅(qū)動耦合元件的規(guī)定磁通量密度的一個區(qū)。
　　3.1.2電容性耦合區(qū)capactivecouplingarea
　　在CICC和CCD之間存在電容性耦合的一個區(qū)。
　　3.2縮略語
　　3.2.1CICC
　　在ISO/IEC10536－1中定義的無觸點集成電路卡。
　　3.2.2CCD
　　在ISO/IEC10536－1中定義的卡耦合裝置。
　　3.3符號
　　3.3.1ID－1在ISO/IEC7810中定義
　　3.3.2X在附錄A中定義
　　3.3.3Y在附錄A中定義
　　
　　4 耦合區(qū)的尺寸
　　
　　4.1電感性耦合區(qū)
　　每個區(qū)的尺寸以毫米為單位，如圖1所示。
　　
　　4.2電容性耦合區(qū)
　　每個區(qū)的尺寸以毫米為單位，如圖2所示。
　　
　　5 耦合區(qū)的數(shù)目和位置
　　
　　ISO/IEC10536的本部分定義了如圖1和圖2中所示尺寸的8個耦合區(qū)，其中4個是電感性耦合區(qū)，它們系指圖1和圖3所示尺寸的H1和H4，另外4個是電容性耦合區(qū)，它們則系指圖2所示尺寸的E1和E4。
　　CICC不必使用圖示的所有耦合區(qū)。CCD應能使用所有圖示的耦合區(qū)。這些耦合區(qū)的使用將在ISO/IEC10536－3中定義。
　　5.1電感性耦合區(qū)的位置
　　圖3中示出了4個電感性耦合區(qū)的中心位置。
　　
　　5.2電容性耦合區(qū)的位置
　　
　　附錄A
(提示的附錄)
x軸和Y軸的確定——測量方法
　　
　　本附錄講述與CICC有關的用于域位置的坐標軸。
　　X和Y在0相交組成兩個垂直參考坐標軸。在坐標軸上標記3個參考點；X軸上標記的P2點和P3點分別離0點為11.25mm和71.25mm，Y軸上標記的P1點應距0點為27.00mm。放卡時頂邊沿應觸及P2和P3點，左邊沿應觸及P1點(圖A.1)。
　　
　　附錄B
(提示的附錄)
CICC和CCD中耦合元件的例子
　　
　　耦合元件定義為：CCD和CICC中產(chǎn)生或截取電場磁場的一種物理結(jié)構(gòu)。
　　關鍵詞：
　　1耦合線圈1。
　　2耦合線圈2。
　　3觸點(表面)(ISO/IEC7816－2)。
　　4線圈和U形芯2。
　　5線圈和U形芯1。
　　6線圈和U形芯2。
　　7CCD電容器片。
　　8當置于CCD中時CICC的外形圖。當置于這個外形圖中時CICC有4個可能的方向。
　　注：1)這個例子不排除使用遠程耦合的大線圈。
2)CICC不包括圖示的所有耦合元件。
　　
　　第2部分：觸點的尺寸和位置

　　ISO/IECDIS10536－3：1995
　　識別卡無觸點集成電路卡
　　第3部分：電信號和復位規(guī)程
　　Identificationcards－Contactlessintegratedcircuit(s)Cards
　　Parts3:ElectronicSignalsandresetProcedures
　　
　　1 范圍
本標準規(guī)定了以槽隙或表面操作的ID－1型卡的卡耦合裝置(CCD)和無觸點集成電路卡(CICC)之間的功率和雙向通信而提供的場的性質(zhì)和特征。
　　本標準既不規(guī)定產(chǎn)生耦合場的方法，也不規(guī)定符合電磁輻射規(guī)章的方法。
　　本標準與ISO/IEC10536－1和ISO/IEC10536－2一起使用。
　　注：1)其他類型的無觸點集成電路卡、格式或以不同距離操作的接口可以在將來進行開發(fā)，它將要求對本標準進行增補，或可以要求寫成其他標準。
　　2 引用標準
下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構(gòu)成本標準的條文。本標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。
　　ISO1177(1985)：信息處理一面向起止式和同步式字符傳輸?shù)淖址Y(jié)構(gòu)
　　ISO7810(1985)：識別卡物理特性
　　ISO7811－1(1989)：識別卡記錄技術(shù)第1部分：凸印
　　ISO7811－2(1989)：識別卡記錄技術(shù)第2部分：磁條
　　ISO7811－3(1989)：識別卡記錄技術(shù)第3部分：ID－1型卡上凸印字符的位置
　　ISO7811－4(1989)：識別卡記錄技術(shù)第4部分：只讀磁道的第1磁道和第2磁道的位置
　　ISO7811－5(1989)：識別卡記錄技術(shù)第5部分：讀寫磁道的第3磁道的位置
　　ISO/IEC7812－1(1993)：識別卡發(fā)卡方標識第1部分：編號體系
　　ISO/IEC7812－2(1993)：識別卡發(fā)卡方標識第2部分：申請和注冊規(guī)程
　　ISO7813(1985)：識別卡金融交易卡
　　ISO7816－1(1987)：識別卡帶觸點的集成電路卡第1部分：物理特性
　　ISO7816－2(1987)：識別卡帶觸點的集成電路卡第2部分：觸點的尺寸和位置
　　ISO7816－3(1987)：識別卡帶觸點的集成電路卡第3部分：電信號和傳輸協(xié)議
　　ISO/IEC10536－1(1992)：識別卡無觸點集成電路卡第1部分：物理特性
　　ISO/IECDIS10536－2(1992)：識別卡無觸點集成電路卡第2部分：耦合區(qū)的尺寸和位置
　　3 定義、縮略語和符號
　　3.1定義
　　下列定義適用于本標準
　　3.1.1復位應答answertoreset
　　CICC第一次被激勵(或用其他方法復位)之后直至CICC完成對復位發(fā)送其初始響應或它從CCD得到功率的周期。該初始響應也叫復位應答。
　　3.1.2移相鍵控phaseshiftkeying
　　通過以預定的方式改變CICC接收來自CCD中的激勵感應場的規(guī)定頻率的相位來獲得調(diào)制的一種方法。
　　3.1.3邏輯電平1logiclevel1
　　傳號(按ISO1177的定義)。
　　3.1.4邏輯電平0logiclevel0
　　空號(按ISO1177的定義。
　　3.1.5不歸零non－returntozero
　　負電壓用來發(fā)出邏輯電平0信號且正電壓用來發(fā)出邏輯電平1信號的一種位編碼方法。
　　3.1.6差分不歸零differentialnon－returntozero
　　負差分電壓用來發(fā)出邏輯電平0信號且正差分電壓用來發(fā)出邏輯電平1信號的一種位編碼方法。
　　3.1.7數(shù)據(jù)躍變周期datatransitionperiod
　　數(shù)據(jù)躍變開始至下一個數(shù)據(jù)躍變開始之間的時間周期。
　　3.1.8相位躍變周期phasetransitionperiod
　　從相位ψ至ψ’的相位躍變的中央至下個相位躍變的中央之間的時間周期(見圖1)。
3.2縮略語
　　本標準使用下列縮略語：
　　ATR復位應答
　　CICC無觸點集成電路卡
　　CCD卡耦合裝置
　　ID－1ISO/IEC7810－1985
所規(guī)定的識別卡類型
　　NRZ不歸零
　　PSK移相鍵控
　　3.3符號
　　本國際標準使用下列符號：
　　E1－E4按ISO/IEC10536－2定義
　　F1－F4分別通過H1－H4的場
　　H1－H4按ISO/IEC10536－2定義
　　相位
　　tR信號幅度的10％和90％之間的上升時間
　　tF信號幅度的90％和10％之間的下降時間
　　TD數(shù)據(jù)躍變周期
　　TP相位躍變周期
　　Vth差分閾值輸入電壓
　　Vhys差分輸入滯后
　　Vdiff差分電壓
　　4 無觸點集成電路卡的操作順序
　　本操作順序適用于本標準所包括的無觸點集成電路卡。
　　CCD和CICC之間的對話通過以下連續(xù)操作進行：
　　—通過CCD功率場激活CICC；
　　—CICC的內(nèi)部復位；
　　—傳輸來自CICC的響應；
　　—在CICC和CCD之間連續(xù)信息交換；
　　—從CCD中除去CICC，或通過CCD使CICC?；睢?BR>　　這些操作使用以下各章所規(guī)定的電信號和復位規(guī)程。
　　5 功率傳送
四個電感性耦合區(qū)H1－H4應通過集中交變場F1－F4進行激勵，F(xiàn)1－F4的每個交變場都能向CICC供給功率。
　　5.1頻率
　　交變場的頻率在ATR期間至少應為49152MHz。激勵場的頻率應保持在±0.1％范圍以內(nèi)?！　?.2波形
　　交變場的波形應為正弦波，其總的諧波失真小于10％。
　　5.3場間關系
　　通過H1和H2區(qū)的場可以由相同的源來激勵，但它們之間的相位必須相差180°。
　　同樣，通過H3和H4區(qū)的場也可以由相同的源來激勵，但它們之間的相位必須相差180°。相位差應維持在標稱值的±10％范圍以內(nèi)。
　　在ATR期間，應提供磁場F1和F3(以及此后的F2和F4)，并應具有90°相差。該相位差應維持在標稱值的±10％范圍以內(nèi)。
　　5.4功率電平
　　CCD的每個激勵場應至少能將150mW功率耦合到CICC中去。CICC從單個激勵場汲取不大于150mW功率。CICC應汲取的最大功率為200mW。
　　附錄A提供了功率傳送的測試方法。
　　6 通信
CICC和CCD之間的通信可以通過電感耦合區(qū)以電感進行或通過電容耦合區(qū)以電容進行。在上述二者中的任一種情況下，在任一時刻，至少在復位應答期間，只應操作一種數(shù)據(jù)傳送方法。
　　6.1電感性數(shù)據(jù)傳送
　　所有電感性數(shù)據(jù)通信應按以下各條所述在CICC和CCD之間進行發(fā)送。
　　6.1.1從CICC至CCD的通信
　　CICC應能通過其4個電感耦合區(qū)H1……H4中的一個或多個與CCD進行通信，借此，交變場F1……F4附加地被加載以產(chǎn)生副載波，從而這些場通過移相鍵控該副載波來進行調(diào)制。
　　6.1.1.1副載波和調(diào)制
　　通過變換至少10％初始負載(但不小于1mW)的交變負載連續(xù)產(chǎn)生頻率為3072kHz的副載波。在調(diào)制期間，副載波相位變換180°。這有效地規(guī)定了相位的二種狀態(tài)。
　　6.1.1.2相位躍變周期
　　相位躍變周期(T)和標稱數(shù)據(jù)躍變周期TD之間的差值應小于20％的TD：
　　Tψ－TD│/TD<20￡￥>
　　6.1.1.3編碼技術(shù)
　　NRZ編碼應該用于從CICC至CCD的數(shù)據(jù)傳送。
　　6.1.1.4邏輯電平1和0的分配
　　當CICC第一次被激勵時，在時間間隔ts期間，CCD應確定邏輯電平1為當前相位狀態(tài)。在時間間隔ts之后，副載波的每次移相應規(guī)定反相邏輯狀態(tài)。時間間隔ts規(guī)定在表3中。
　　6.1.2從CCD至CICC的通信
　　CICC應能通過4個交變場F1……F4的CCD進行通信，借此，這些場F1……F4通過移相鍵控來進行電感性調(diào)制。
　　6.1.2.1調(diào)制
　　在調(diào)制期間，每個場同時變換其相位(ψ)90°。這種變換有效地規(guī)定了相應兩種狀態(tài)A和A＇。根據(jù)CICC的取向，不同地規(guī)定這些狀態(tài)。這兩種可替換的變換在圖2和圖3中示出。
　　這種可替換的相位變化在表1中規(guī)定。
　　表1—移相(可替換的變換)
狀態(tài)A狀態(tài)A＇
F1F1=F1－90°
ψF3=F1＋90°F3=F3＋90°
表2—相移(可替換的變換2)
狀態(tài)A狀態(tài)A＇
F1F1=F1＋90°
ψF3=F1＋90°F3=F3－90°
注1)：場F1……F4之間的關系與“5.3條場間關系”相同
　　6.1.2.2相位躍變周期
　　相位躍變周期(T)和標稱數(shù)據(jù)躍變周期(TD)之間的差值應小于10％的TD：
　　︳Tψ－TD︳/TD<10％
　　6.1.2.3編碼技術(shù)
　　NRZ編碼應該用于從CCD至CICC的數(shù)據(jù)傳送。
　　6.1.2.4邏輯電平1和0的分配
　　由于CICC在相對于CCD的所有4個可能的方向上進行操作，因此可以采用不同的相位狀態(tài)。當CICC第一次被激勵時，在時間間隔t2和t3期間，將確定邏輯1為當前相位狀態(tài)。在時間間隔t3之后，場的每次移相應規(guī)定反相邏輯電平。這些時間間隔在表3中規(guī)定。
　　6.2電容性數(shù)據(jù)傳送
6.2.1耦合區(qū)的關系
　　對于電容性數(shù)據(jù)傳送，一對耦合區(qū)用于從ICCC至CCD的通信。這對耦合區(qū)可以是耦合區(qū)E1和E2或是E3和E4。如果電容性通信還用于從CCD至CICC的通信，則另一對耦合區(qū)提供從CICC至CCD的通信信道。在這兩種情況下，這兩對電容性耦合區(qū)具有不同的關系。電容性耦合區(qū)的極性應相對于其相鄰區(qū)進行交變。CICC發(fā)送數(shù)據(jù)的外部電容性耦合區(qū)的初始狀態(tài)應為負。
　　6.2.2傳輸特性
　　所有電容性數(shù)據(jù)通信都應按以下各條所述在CICC和CCD之間進行發(fā)送。
　　6.2.2.1差分電壓
　　一對電容性耦合區(qū)E1和E2或E3和E4之間的差分電壓(Vdiff)最大值應為10V以及為接收器產(chǎn)生一信號所需要的差分電壓最小值應大于6.2.3.1條所規(guī)定的最小差分輸入閾值。
　　6.2.2.2編碼技術(shù)說明
　　電容性數(shù)據(jù)傳送的編碼技術(shù)應為差分NRZ。
　　6.2.2.3數(shù)據(jù)傳送技術(shù)說明
　　通過變換耦合區(qū)E1和E2或E3和E4之間的差分電壓使發(fā)送器與接收機進行通信。
　　6.2.2.4邏輯電平1和0的分配
　　在時間間隔t3期間，置為邏輯電平1。在時間間隔t3之后，每次變換差分電壓應規(guī)定反相邏輯電平。時間間隔在表3中規(guī)定。
　　6.2.2.5轉(zhuǎn)換速率
　　被發(fā)送的差分電壓信號的轉(zhuǎn)換速率最小應為0.14v/ns。
　　6.2.3接收特性
　　所有電容性數(shù)據(jù)通信都應按照以下各條所述在CICC和CCD之間進行接收。
　　6.2.3.1差分輸入閾值
　　接收器應能對±30mV的最小差分輸入閾值(Vth)進行響應。
　　6.2.3.2輸入滯后
　　接收器應具有±130mV的最小差分輸入滯后(噪聲抗擾度)(Vhys)。
　　6.2.3.3轉(zhuǎn)換速率
　　接收器應能對0.14V/ns最小轉(zhuǎn)換率進行響應。
　　6.2.3.4信號寬度
　　在差分輸入閾值上差分電壓信號寬度應至少為10ns。
　　6.2.4初始狀態(tài)
　　CICC應發(fā)送其應答，以便在兩對電容片E1和E2或E3或E4中的一對上復位。這就規(guī)定了從CICC至CCD的通信用的通信信道。對于從CCD至CICC的電容性通信，則使用另一對電容片。如果需要的話，復位應答還用來確定卡的取向。
　　7 CICC復位的狀態(tài)
CICC可以不通過機械方法將其出現(xiàn)寄存在耦合場中，CICC電子線路復位的狀態(tài)由CICC的內(nèi)部電路來決定。