識(shí)別卡無觸點(diǎn)集成電路卡——鄰近卡
　　第一部分：物理特性
　　1 范圍
　　ISO/IEC14443的這一部分規(guī)定了鄰近卡（PICC）的物理特性。它應(yīng)用于在耦合設(shè)備附近操作的ID－1型識(shí)別卡。
　　ISO/IEC14443的這一部分應(yīng)與正在制定的ISO/IEC14443后續(xù)部分關(guān)聯(lián)使用。
　　2 標(biāo)準(zhǔn)引用
　　下列標(biāo)準(zhǔn)中所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用ISO/IEC14443這一部分的各方應(yīng)探討使用下列最新版本標(biāo)準(zhǔn)的可能性。ISO和IEC的成員修訂當(dāng)前有效國際標(biāo)準(zhǔn)的紀(jì)錄。
　　ISO/IEC7810：1995，識(shí)別卡——物理特性。
　　ISO/IEC10373，識(shí)別卡——測(cè)試方法。
　　3 定義，縮略語和符號(hào)
　　3.1定義
　　下列定義適用于ISO/IEC14443的這一部分：
　　3.1.1集成電路Integratedcircuit(s)（IC）：
　　用于執(zhí)行處理和/或存儲(chǔ)功能的電子器件。
　　3.1.2無觸點(diǎn)的Contactless：
　　完成與卡的信號(hào)交換和給卡提供能量，而無需使用微電元件（即：從外部接口設(shè)備到卡上的集成電路之間沒有直接路徑）。
　　3.1.3無觸點(diǎn)集成電路卡Contactlessintegratedcircuit(s)card：
　　一種ID－1型卡類型（如ISO/IEC7810中所規(guī)定），在它上面有集成電路，并且與集成電路的通信是用無觸點(diǎn)的方式完成的。
　　3.1.4鄰近卡Proximitycard（PICC）
　　一種ID－1型卡，在它上面有集成電路和耦合工具，并且與集成電路的通信是通過與鄰近耦合設(shè)備電感耦合完成的。
　　3.1.5鄰近耦合設(shè)備Proximitycouplingdevice（PCD）
　　用電感耦合給鄰近卡提供能量并控制與鄰近卡的數(shù)據(jù)交換的讀/寫設(shè)備。
　　4 物理特性
　　4.1一般特性
　　鄰近卡應(yīng)有根據(jù)ISO/IEC7810中規(guī)定的ID－1型卡的規(guī)格的物理特性。
　　4.2尺寸
　　鄰近卡的額定尺寸應(yīng)是ISO/IEC7810中規(guī)定的ID－1型卡的尺寸。
　　4.3附加特性
　　4.3.1紫外線
　　ISO/IEC14443的這一部分排除了大于海平面普通日光中的紫外線的紫外線水平的防護(hù)需求，超過周圍紫外線水平的防護(hù)應(yīng)是卡制造商的責(zé)任。
　　4.3.2X－射線
　　卡的任何一面曝光0.1Gy劑量，相當(dāng)于100KV的中等能量X—射線（每年的累積劑量），應(yīng)不引起卡的失效。
　　注1：這相當(dāng)于人暴露其中能接受的最大值的年累積劑量的近似兩倍。
　　4.3.3動(dòng)態(tài)彎曲應(yīng)力
　　按ISO/IEC10373中描述的測(cè)試方法（短邊和長邊的最大偏移為hwA=20mm，hwB=10mm）測(cè)試后，鄰近卡應(yīng)能繼續(xù)正常工作。
　　4.3.4動(dòng)態(tài)扭曲應(yīng)力
　　按ISO/IEC10373中描述的測(cè)試方法（旋轉(zhuǎn)角度為15°）測(cè)試后，鄰近卡應(yīng)能繼續(xù)正常工作。
　　4.3.5可變磁場(chǎng)
　　a）在下表給出的平均值的磁場(chǎng)內(nèi)暴露后，鄰近卡應(yīng)能繼續(xù)正常工作。
　　f—頻率（MHz）
　　磁場(chǎng)的最高值被限制在平均值的30倍。
　　b）在12A/m、13.56MHz的磁場(chǎng)中暴露后，鄰近卡應(yīng)能繼續(xù)正常工作。
　　頻率范圍（MHz）平均磁場(chǎng)強(qiáng)度（A/m）平均時(shí)間（minutes）
　　0.3——3.01.636
　　3.0——304.98/f6
　　30——3000.1636
　　頻率范圍（MHz）平均電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）平均時(shí)間（minutes）
　　0.3——3.00.6146
　　3.0——301842/f6
　　30——30061.46
　　4.3.6可變電場(chǎng)
　　在下表給出的平均值的電場(chǎng)內(nèi)暴露后，鄰近卡應(yīng)能繼續(xù)正常工作。
　　f—頻率（MHz）
　　電場(chǎng)的最高值被限制在平均值的30倍。
　　4.3.7靜態(tài)電流
　　按ISO/IEC10373（IEC1000－4－2：1995）中描述的測(cè)試方法（測(cè)試電壓為6KV）測(cè)試后，鄰近卡應(yīng)能繼續(xù)正常工作。
　　4.3.8靜態(tài)磁場(chǎng)
　　在640KA/m的靜態(tài)磁場(chǎng)內(nèi)暴露后，鄰近卡應(yīng)能繼續(xù)正常工作。
　　警告：磁條上的數(shù)據(jù)內(nèi)容將被這樣的磁場(chǎng)擦去。
　　4.3.9工作溫度
　　在0℃到50℃的環(huán)境溫度范圍內(nèi)，鄰近卡應(yīng)能正常工作。
　　附錄A（提示的附錄）
　　標(biāo)準(zhǔn)兼容性和表面質(zhì)量
　　A.1標(biāo)準(zhǔn)的兼容性
　　本標(biāo)準(zhǔn)并不排斥現(xiàn)存其它的標(biāo)準(zhǔn)中涉及PICC的部分，這里的限制只是為了突出PICC。
　　A.2用于印制的表面質(zhì)量
　　如果對(duì)印制生產(chǎn)出的PICC有特殊的要求，就應(yīng)注意保證供印制的區(qū)域的表面質(zhì)量能夠適應(yīng)印制的技術(shù)或采用的打印機(jī)。
　　附錄B（提示的附錄）
　　其它ISO/IEC卡標(biāo)準(zhǔn)參考書目
ISO/IEC7811－1：1995，識(shí)別卡——記錄技術(shù)——第一部分：凸印。
ISO/IEC7811－2：1995，識(shí)別卡——記錄技術(shù)——第二部分：磁條。
ISO/IEC7811－3：1995，識(shí)別卡——記錄技術(shù)——第三部分：ID－1型卡上凸印字符的位置。
ISO/IEC7811－4：1995，識(shí)別卡——記錄技術(shù)——第四部分：ID－1型卡上只讀磁道——磁道1和2的位置。
ISO/IEC7811－5：1995，識(shí)別卡——記錄技術(shù)——第五部分：ID－1型卡上讀寫磁道——磁道3的位置。
ISO/IEC7811－6：1995，識(shí)別卡——記錄技術(shù)——第六部分：磁條——高矯頑磁性。
ISO/IEC7812－1：1993，識(shí)別卡——發(fā)卡人的識(shí)別——第一部分：編碼體系。
ISO/IEC7812－2：1993，識(shí)別卡——發(fā)卡人的識(shí)別——第二部分：應(yīng)用和注冊(cè)過程。
ISO/IEC7813：1995，識(shí)別卡——金融交易卡。
ISO/IEC7816－1：1998，識(shí)別卡——接觸式集成電路卡——第一部分：物理特性。
ISO/IEC7816－2：1998，識(shí)別卡——接觸式集成電路卡——第二部分：接觸的尺寸和位置。
ISO/IEC7816－3：1997，識(shí)別卡——接觸式集成電路卡——第三部分：電信號(hào)和傳送協(xié)議。
ISO/IEC10536－1：1992，識(shí)別卡——無觸點(diǎn)集成電路卡——第一部分：物理特性。
ISO/IEC10536－2：1995，識(shí)別卡——無觸點(diǎn)集成電路卡——第二部分：耦合區(qū)域的尺寸和位置。

　　第二部分：頻譜功率和信號(hào)接口
　　1 范圍
　　ISO/IEC14443的這一部分規(guī)定了需要供給能量的場(chǎng)的性質(zhì)與特征，以及鄰近耦合設(shè)備（PCDs）和鄰近卡（PICCs）之間的雙向通信。
　　ISO/IEC14443的這一部分應(yīng)與ISO/IEC14443的其他部分關(guān)聯(lián)使用。
　　ISO/IEC14443的這一部分并不規(guī)定產(chǎn)生耦合場(chǎng)的方法，也沒有規(guī)定如何符合因國家而異的電磁場(chǎng)輻射和人體輻射安全的條例。
　　2 標(biāo)準(zhǔn)引用
　　下列標(biāo)準(zhǔn)中所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用ISO/IEC14443這一部分的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。ISO和IEC的成員修訂當(dāng)前有效國際標(biāo)準(zhǔn)的紀(jì)錄。
　　ISO/IEC14443－1：識(shí)別卡——無觸點(diǎn)集成電路卡——鄰近卡——第一部分：物理特性。
　　ISO/IEC10373，識(shí)別卡——測(cè)試方法。
　　3 術(shù)語和定義
　　ISO/IEC14443－1中給出的定義和下列定義適用于本國際標(biāo)準(zhǔn)：
　　3.1位持續(xù)時(shí)間Bitduration
　　一個(gè)確定的邏輯狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間，在這段時(shí)間的最后，一個(gè)新的狀態(tài)位將開始。
　　3.2二進(jìn)制相移鍵控Binaryphaseshiftkeying
　　相移鍵控，此處相移180°，從而導(dǎo)致兩個(gè)可能的相位狀態(tài)。
　　3.3調(diào)制系數(shù)Modulationindex
　　定義為(a－b)/(a＋b)，其中a，b分別是信號(hào)幅度的最大，最小值。
　　3.4不歸零NRZ－L
　　在位持續(xù)時(shí)間內(nèi)，一個(gè)邏輯狀態(tài)的位編碼方式，它以在通信媒介中的兩個(gè)確定的物理狀態(tài)之一來表示。
　　3.5副載波Subcarrier
　　以載波頻率fc調(diào)制頻率fs而產(chǎn)生的RF信號(hào)。
　　4 縮略語和符號(hào)
　　ASK移幅鍵控
　　BPSK二進(jìn)制移相鍵控
　　NRZ－L不歸零，（L為電平）
　　PCD鄰近耦合設(shè)備
　　PICC鄰近卡
　　RF射頻
　　fc工作場(chǎng)的頻率（載波頻率）
　　fs副載波調(diào)制頻率
　　Tb位持續(xù)時(shí)間
　　5 鄰近卡的初始化對(duì)話
　　鄰近耦合設(shè)備和鄰近卡之間的初始化對(duì)話通過下列連續(xù)操作進(jìn)行：
　　—PCD的射頻工作場(chǎng)激活PICC
　　—鄰近卡靜待來自鄰近耦合設(shè)備的命令
　　—鄰近耦合設(shè)備命令的傳送
　　—鄰近卡響應(yīng)的傳送
　　這些操作使用下面段落中規(guī)定的射頻功率和信號(hào)接口。
　　6 功率傳輸
　　鄰近耦合設(shè)備產(chǎn)生一個(gè)被調(diào)制用來通信的射頻場(chǎng)，它能通過耦合給鄰近卡傳送功率。
　　6.1.1頻率
　　射頻工作場(chǎng)頻率（fc）是13.56MHz7kHz。
　　6.1.2工作場(chǎng)
　　最小未調(diào)制工作場(chǎng)的值是1.5A/mrms，以Hmin表示。
　　最大未調(diào)制工作場(chǎng)的值是7.5A/mrms，以Hmax表示。
　　鄰近卡應(yīng)持續(xù)工作在Hmin和Hmax之間。
　　從制造商特定的角度說（工作容限），鄰近耦合設(shè)備應(yīng)產(chǎn)生一個(gè)大于Hmin，但不超過Hmax的場(chǎng)。
　　另外，從制造商特定的角度說（工作容限），鄰近耦合設(shè)備應(yīng)能將功率提供給任意的鄰近卡。
在任何可能的鄰近卡的狀態(tài)下，鄰近耦合設(shè)備不能產(chǎn)生高于在ISO/IEC14443－1中規(guī)定的交變電磁場(chǎng)。
　　鄰近耦合設(shè)備工作場(chǎng)的測(cè)試方法在國際標(biāo)準(zhǔn)ISO/IEC10373中規(guī)定。