在物聯(lián)網(wǎng)的世界里，RFID不可或缺。而在RFID的世界里，F(xiàn)RAM也是不可或缺的。由富士通半導(dǎo)體開發(fā)并生產(chǎn)的內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品，就像是RFID世界里的“高富帥”。2016年4月7日，在上海舉辦的2016 RFID世界大會上，富士通電子元器件(上海)有限公司的蔡振宇經(jīng)理同與會嘉賓詳細(xì)的介紹了富士通FRAM RFID 產(chǎn)品。

　　富士通半導(dǎo)體 高級市場經(jīng)理蔡振宇

　　關(guān)于富士通半導(dǎo)體

　　富士通(上海)半導(dǎo)體是富士通集團(tuán)旗下專注于芯片并給客戶提供獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的公司。在北京、深圳、大連等地均設(shè)有分公司,負(fù)責(zé)統(tǒng)籌富士通在中國半導(dǎo)體的銷售、市場及現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù)。富士通半導(dǎo)體集團(tuán)控制著FRAM的整個生產(chǎn)程序。

　　什么是FRAM?

　　FRAM(鐵電存儲器)使用鐵電材料作為數(shù)據(jù)載體，同時具有隨機(jī)存儲(RAM)和只讀存儲器(ROM)的優(yōu)勢。

　　FRAM是一種非易失性存儲器，在沒有電源的情況下可以保存數(shù)據(jù)，用于數(shù)據(jù)存儲。

　　下面的圖表解釋了PZT晶體結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)通常用作典型的鐵電質(zhì)材料。在點(diǎn)陣中具有鋯和鈦，作為兩個穩(wěn)定點(diǎn)。它們可以根據(jù)外部電場在兩個點(diǎn)之間移動。一旦位置設(shè)定，即使在出現(xiàn)電場，它也將不會再有任何移動。頂部和底部的電極安排了一個電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數(shù)據(jù)以“1”或“0”的形式存儲。

　　FRAM RFID的特點(diǎn)及優(yōu)勢

　　一、快速讀寫數(shù)據(jù)

　　作為用在RFID中的非易失性存儲器，EEPROM已經(jīng)得到了廣泛應(yīng)用。但是大部分基于EEPROM的RFID都是小存儲容量產(chǎn)品，只適合讀，不適合寫。如果寫入2Mbit 的數(shù)據(jù)，EEPROM需要13.4s，F(xiàn)LASH需要2.9s,而FRAM卻僅僅只要0.5s。

　　二、讀寫次數(shù)大，可用于頻繁擦寫領(lǐng)域。

　　一般的存儲器像EEPROM的讀寫次數(shù)大概是100萬次，而FRAM可以達(dá)到1萬億次。因此，基于FRAM的RFID壽命更長久。

　　三、讀寫距離相同。

　　四、功耗低。

　　EEPROM在讀寫的時候最大電流需要5mA，而FRAM只需要10uA。

　　五、防輻射性好

　　在醫(yī)院和工業(yè)上有些比較特殊的領(lǐng)域具有強(qiáng)的輻射性。此時，存在于EEPROM中的數(shù)據(jù)會受到放射線的嚴(yán)重影響。而存在于FRAM中的數(shù)據(jù)在高放射水平下仍然不會受到影響，因?yàn)樗臄?shù)據(jù)存儲采用的是電子電荷。

　　FRAM RFID的應(yīng)用

　　FRAM RFID 廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化，飛機(jī)零件的制造與維護(hù)，醫(yī)療，設(shè)備維修以及很多EEPROM RFID 不能滿足要求的領(lǐng)域。

　　在汽車生產(chǎn)中，由于企業(yè)要求提高汽車的生產(chǎn)量，那么就需要提高生產(chǎn)線的流轉(zhuǎn)量和生產(chǎn)線速度，這就要求RFID有大的數(shù)據(jù)容量?；贓EPROM的RFID，在提高生產(chǎn)線速度的時候，不能完全把要求的數(shù)據(jù)讀下來。其次，工業(yè)生產(chǎn)線要求RFID的工作壽命長。一些日本和德國汽車制造商通過使用富士通的118c提高了20%-30%的生產(chǎn)量。

　　另外一個FRAM RFID應(yīng)用比較多的領(lǐng)域是醫(yī)療上。很多定制醫(yī)療器械的跟蹤，醫(yī)療用品，醫(yī)用試管、手術(shù)用品標(biāo)簽。美國和歐洲有很多國家接觸到醫(yī)療器械的地方，需要進(jìn)行伽馬放射性消毒，而FRAM正好具有較強(qiáng)的抗輻射性。

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