HID Global的IN標(biāo)簽300 8KB

　　HID Global發(fā)布了IN 標(biāo)簽300 8KB，它是一個(gè)采用FRAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)的八千字節(jié)內(nèi)存的無源高頻(HF)轉(zhuǎn)發(fā)器，該存取技術(shù)由富士通半導(dǎo)體提供。

　　根據(jù)HID Global稱，F(xiàn)RAM芯片提供快速的寫入速度和高記憶容量，而且技術(shù)加速了靠近HF標(biāo)簽時(shí)數(shù)據(jù)訪問的最大速度;可承受十億次讀寫生命周期，能經(jīng)受高達(dá)50 KGray的γ輻射，例如，醫(yī)用消毒過程。

　　HID Global解釋稱，F(xiàn)RAM寫入周期比通常用RFID標(biāo)簽的EEPROM存儲(chǔ)器快33,000次，讀寫生命周期比EEPROM多約100萬次以上，這使其適用于高速移動(dòng)的目標(biāo)和頻繁寫入與訪問的應(yīng)用程序，如傳感器或數(shù)據(jù)記錄儀。

　　據(jù)HID Global表示，IN標(biāo)簽300 8KB適用于需要高壓滅菌、γ射線和X射線照射消毒的醫(yī)療用品和設(shè)備，以及惡劣環(huán)境下的工業(yè)應(yīng)用 ，如生產(chǎn)線。

　　標(biāo)簽符合ISO 15693標(biāo)準(zhǔn)，即使暴露于輻射也能保護(hù)數(shù)據(jù)的完整性。

　　該產(chǎn)品還通過了ATEX認(rèn)證，可用于爆炸性環(huán)境，能承受高達(dá)285華氏度(140攝氏度)的最高溫度，并且符合UL94-HB 阻燃標(biāo)準(zhǔn)和食品接觸標(biāo)準(zhǔn)。

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