Imec的超高頻Schottky二極管基于非晶IGZO材料，據(jù)說(shuō)能用于開發(fā)薄膜無(wú)源超高頻（UHF）電子標(biāo)簽，取代目前的條形碼標(biāo)識(shí)，很適合單品級(jí)應(yīng)用。

　　超高頻RFID標(biāo)簽有一個(gè)較長(zhǎng)的閱讀范圍（5米），體形小，可用印刷天線，總體成本低。

　　與硅相比，IGZO材料的低成本優(yōu)勢(shì)更明顯，因?yàn)镮GZO薄膜有源器件的制程便宜，要求的溫度較前者低。

　　該研發(fā)成果將使得RFID芯片直接基于塑料薄膜應(yīng)用，如產(chǎn)品包裝。

　　二極管可用于阻擋電流，例如，在無(wú)源標(biāo)簽上，它通過(guò)捕捉天線的電磁波并轉(zhuǎn)化為電流為標(biāo)簽供電。

　　IGZO是非晶半導(dǎo)體，能形成一個(gè)穩(wěn)定的Schottky勢(shì)壘，即使應(yīng)用于金屬環(huán)境。

　　獲得一個(gè)穩(wěn)定的Schottky勢(shì)壘后，Imec開發(fā)了特別的電漿和退火處理，通過(guò)化學(xué)過(guò)程改變Schottky二極管的接口。

　　由此制成的IGZO Schottky二極管整流比高達(dá)九個(gè)數(shù)量級(jí)（+ V 和- V），電流密度高達(dá)800 A /cm²（正向偏壓1V），截止頻率1.8ghz。如果單級(jí)整流器，截止頻率1.1ghz。

　　實(shí)驗(yàn)已證明，整流器件在超高頻（868MHz）下?lián)p耗很低。

　　本研究為薄膜超高頻RFID技術(shù)，支持歐盟EU FP7-ICT-247798 project ORICLA。

　　項(xiàng)目的合作伙伴包括項(xiàng)目協(xié)調(diào)員Imec（比利時(shí)），霍爾斯特中心–TNO（荷蘭），贏創(chuàng)工業(yè)股份公司（Evonik Industries AG，德國(guó)），和PolyIC（德國(guó)）。(RFID世界網(wǎng)編譯)