產(chǎn)品詳情：

AO3480C將***溝道MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合,以提供極低的ROS(開)。該設(shè)備適用于ALOAD開關(guān)或PWM應(yīng)用。



AO3480C描述：

?門電荷低

?RoHS和無鹵素兼容

?溝槽功率MOSFET技術(shù)30V

?低RDS(上)



AO3480C產(chǎn)品技術(shù)參數(shù):

在vg RDS(上)(= 4.5 v)<26 mΩ

ID (at VGS=4.5V) 6.2A

RDS(上)(vg = 10 v)<20 mΩ



AO3480C***保護(hù)

A. RqJA的值是用2oz的裝置安裝在1in2 FR-4板上測量的。銅，在TA =25℃的靜空氣環(huán)境中。的價值在任何給定的應(yīng)用取決于用戶的具體板設(shè)計。