產(chǎn)品詳情：

產(chǎn)品描述

C20F06BD 是一款FLASH 容量為80 kB 的8 位CPU 接觸式智能卡芯片，提供硬件DES、TRNG、CRC，適用于普通IC 卡應用場合，例如，32K SIM 應用、金融卡、付費電視、校園卡、城市一卡通等。
COS 開發(fā)者可以將80 kB FLASH 靈活地劃分給程序和數(shù)據(jù)。COS 可以從XDATA 訪問到FLASH 最高端的48 kB 區(qū)域（滿足32 kB SIM 應用的需要），而不需要使用效率較低的XDATA Bank 方式。COS 可以從CODE 訪問到全部FLASH，因為芯片支持CODE Bank，從而突破了程序區(qū)的64 kB 限制。
關(guān)于 FLASH 的特性，與我們的其它兩個32K SIM 卡產(chǎn)品（C20F06-D 和C20F17A-D）相比，本芯片有一些不同：
FLASH 的擦、寫只能按頁進行（每頁128 字節(jié)），不能按字節(jié)寫。而且，在每次頁寫之前必須先擦該頁，即不支持連續(xù)頁寫
芯片提供了頁讀操作，由硬件實現(xiàn)把 FLASH 某頁內(nèi)容復制到RAM 中
在頁讀和頁寫操作中，硬件將 RAM 的高128 字節(jié)作為緩沖區(qū)。CPU 也可訪問該區(qū)域
為了一般性地改寫 FLASH，推薦四步流程“頁讀->改緩沖區(qū)->頁擦->頁寫”
值得一提的是，本芯片中 FLASH 的比特值仍然是擦為1、寫為0。
為了便于開發(fā)軟件，芯片內(nèi)置了硬件 DES/ TRNG/ CRC，COS 開發(fā)者可縮減軟件代碼量和處理時間。
為了提高安全性和可靠性，芯片提供實現(xiàn)了多種硬件安全性能，例如，F(xiàn)LASH 存儲器指定區(qū)域擦寫保護，高低電壓/高低頻率檢測，等等。

產(chǎn)品特征

性能
高性能 8 位CPU，兼容標準8051
- 1 條指令占用1 到3 個機器周期
- 1 個機器周期為4 個時鐘周期（典型值）
CPU 工作時鐘源可由軟件動態(tài)配置為內(nèi)部或外部時鐘
- 內(nèi)部時鐘頻率為 8MHz 或16MHz（標稱值）

資源
存儲器：
- FLASH 80 kB (128 BPS)
- RAM 2048 Bytes (位于XDATA) + 256 Bytes (位于IDATA)
- OTP 112 Bytes，用戶可編程一次
- SN 8 Bytes，芯片唯一序列號
FLASH 特性：
- 按頁擦、按頁寫（每頁128 字節(jié)；不支持按字節(jié)寫）
- 在頁寫之前必須頁擦(不支持連續(xù)頁寫)
- 比特的邏輯值：擦除后為1，寫0 后為0
- 支持頁讀，以加快讀FLASH 速度
FLASH 可以靈活地用于程序和數(shù)據(jù)：
- 支持CODE Bank，可突破64 kB 的CODE 區(qū)限制
- 從XDATA 可訪問FLASH 最高端的48kB 區(qū)域
DES: DES 和三重DES
CRC: 16 比特CRC-CCITT
TRNG(真隨機數(shù))，滿足安全交易的需要
兩個 16 位定時器，中斷控制器

安全性
FLASH 存儲器指定區(qū)域擦寫保護
WDT(看門狗)
數(shù)據(jù)加密存儲
高低電壓/高低頻率檢測
CLK 濾波
安全認證目標：EAL4+

兼容性
ISO/IEC 7816-3 接口
UART 支持ISO/IEC 7816-3 T=0 和T=1 協(xié)議，支持10 種波特率：FD = 11, 12, 13, 18, 91, 92, 93, 94, 95, 96
支持 GSM 功耗標準，包括Clock Stop 模式