在物聯(lián)網(wǎng)和智能化應(yīng)用飛速發(fā)展的今天，RFID技術(shù)作為數(shù)據(jù)采集與身份識(shí)別的核心手段，其性能、安全性與可靠性愈發(fā)受到重視。然而，傳統(tǒng)基于EEPROM或Flash存儲(chǔ)的RFID標(biāo)簽在寫(xiě)入速度、耐久性和功耗方面存在明顯短板，難以滿足高頻率數(shù)據(jù)交互或嚴(yán)苛環(huán)境下的長(zhǎng)期使用需求。而采用內(nèi)置FeRAM（鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器）的RFID芯片，憑借其超快的寫(xiě)入速度（比EEPROM快千倍）、近乎無(wú)限的讀寫(xiě)壽命，以及低功耗特性，正成為工業(yè)傳感、醫(yī)療追溯、智能倉(cāng)儲(chǔ)等場(chǎng)景的革命性解決方案。

加賀富儀艾電子旗下代理品牌 RAMXEED 有限公司長(zhǎng)期專(zhuān)注于研發(fā)與生產(chǎn)用于RFID標(biāo)簽的LSI產(chǎn)品，產(chǎn)品主要覆蓋13.56MHz的HF頻段。其核心優(yōu)勢(shì)在于內(nèi)置了FeRAM，該存儲(chǔ)器憑借其卓越高速寫(xiě)入性能與高重寫(xiě)耐性，使得其LSI產(chǎn)品成為大容量數(shù)據(jù)載體型RFID應(yīng)用的理想之選，廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)外的工廠自動(dòng)化（FA）系統(tǒng)、醫(yī)療健康等領(lǐng)域。此外，RAMXEED還拓展了產(chǎn)品線，成功研發(fā)并制造了支持860 MHz至960 MHz超高頻（UHF）頻段的產(chǎn)品，并豐富了產(chǎn)品陣容。

選擇內(nèi)置FeRAM的RFID的6個(gè)理由

01高速數(shù)據(jù)處理

FeRAM具有高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入能力以及出色的數(shù)據(jù)保存能力，能夠顯著提高數(shù)據(jù)處理速度。在工廠自動(dòng)化過(guò)程中，準(zhǔn)確高效的操作是提高生產(chǎn)效率的重要因素。

課題：為了在FA生產(chǎn)制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)高吞吐量，要求生產(chǎn)過(guò)程中的記錄數(shù)據(jù)能高速寫(xiě)入RFID標(biāo)簽的存儲(chǔ)器中。內(nèi)置EEPROM的RFID標(biāo)簽的寫(xiě)入速度較慢，無(wú)法應(yīng)用于高吞吐量的生產(chǎn)流程。

用FeRAM解決：FeRAM相較其他非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM），具有非常高速的寫(xiě)入速度。因此寫(xiě)入時(shí)間大幅縮短，可應(yīng)用于高吞吐量的生產(chǎn)制造產(chǎn)線。

02大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

內(nèi)置FeRAM的RFID標(biāo)簽的LSI憑借其高速寫(xiě)入處理能力，實(shí)現(xiàn)了8KB的大容量存儲(chǔ)器配置。通過(guò)采用面向工廠自動(dòng)化設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)載體型RFID LSI，實(shí)現(xiàn)了大容量與高速寫(xiě)入性能需求應(yīng)用的最佳解決方案。

課題：在FA生產(chǎn)制造過(guò)程中，需要實(shí)時(shí)更新和保存大量數(shù)據(jù)，如產(chǎn)品信息、設(shè)置參數(shù)、加工過(guò)程記錄以及檢驗(yàn)信息等。內(nèi)置EEPROM的RFID標(biāo)簽由于存儲(chǔ)器寫(xiě)入速度較慢，無(wú)法在實(shí)時(shí)更新和保存大量數(shù)據(jù)的應(yīng)用中發(fā)揮作用。

用FeRAM解決：FeRAM相比其他非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM等）具有非常高速的寫(xiě)入速度。因此可實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽，實(shí)時(shí)準(zhǔn)確地記錄數(shù)據(jù)。

03穩(wěn)定的通信距離

由于FeRAM存儲(chǔ)器具有低功耗特性，寫(xiě)入（Write）的通信距離與讀?。≧ead）相同。而使用EEPROM存儲(chǔ)器的RFID，寫(xiě)入的通信距離約為讀取的一半。因其低功耗以及高數(shù)據(jù)保存能力，F(xiàn)eRAM可在無(wú)線等不穩(wěn)定情況下確保重要數(shù)據(jù)的可靠保存。

04高重寫(xiě)耐性

FeRAM具有非常多的重寫(xiě)次數(shù)，因此在需要頻繁更新數(shù)據(jù)的工廠自動(dòng)化（FA）環(huán)境中表現(xiàn)出卓越的耐久性，可在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保證穩(wěn)定運(yùn)行，減少維護(hù)成本和時(shí)間。憑借這一特性，可提升FA生產(chǎn)過(guò)程的效率和可靠性。

課題：在FA生產(chǎn)制造過(guò)程中，RFID標(biāo)簽的高重寫(xiě)耐性至關(guān)重要。傳統(tǒng)的EEPROM有100萬(wàn)次的重寫(xiě)限制，無(wú)法滿足高速且頻繁重寫(xiě)的FA領(lǐng)域需求。擁有高重寫(xiě)耐性的FeRAM則能保證標(biāo)簽的長(zhǎng)期使用。

用FeRAM解決：具有高重寫(xiě)耐久性的FeRAM可保證標(biāo)簽的長(zhǎng)期使用。FeRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）因其優(yōu)異的耐重寫(xiě)性，在標(biāo)簽的保修期內(nèi)能維持穩(wěn)定性能。這使得企業(yè)能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)期可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，減少維護(hù)和更換頻率。

＊條件：每分鐘在同一地址寫(xiě)入RFID數(shù)據(jù)

FA的應(yīng)用案例

05實(shí)現(xiàn)無(wú)電池化

FeRAM具有優(yōu)異的低功耗寫(xiě)入特性，因此適用于無(wú)電池設(shè)備。通過(guò)在傳統(tǒng)RFID LSI中集成驅(qū)動(dòng)外部設(shè)備所需的電路，可以實(shí)現(xiàn)各種無(wú)電源、無(wú)線應(yīng)用。這能夠減少更換電池等維護(hù)工作并縮減成本。憑借這一特性，可實(shí)現(xiàn)高效且經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)管理，大幅提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。

06高輻射耐受性

FeRAM具有出色的輻射耐受性，即使在伽馬射線照射或電子束滅菌時(shí)也能保存數(shù)據(jù)。因此，內(nèi)置FeRAM的RFID可顯著提高醫(yī)療以及醫(yī)藥行業(yè)的管理效率，提高產(chǎn)品的可追溯性。憑借這一特性，RFID標(biāo)簽?zāi)軌蛟诋a(chǎn)品生產(chǎn)到廢棄的全過(guò)程提供完整的追溯管理。如此便能準(zhǔn)確追蹤產(chǎn)品歷史，提高質(zhì)量管理和安全性。

藥品生產(chǎn)線

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關(guān)于 RAMXEEDRAMXEED是日本Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited改名的公司。富士通曾是日本知名的半導(dǎo)體供應(yīng)商。有長(zhǎng)久制造歷史，高質(zhì)量半導(dǎo)體在各種產(chǎn)業(yè)使用。

RAMXEED商標(biāo)已于2023年2月24日在歐盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)局（EUIPO）注冊(cè)，涵蓋多種半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括集成電路、存儲(chǔ)器件、芯片、元件和基板。更多詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：https://cn.ramxeed.com/。