近日，浙江華辰芯光技術(shù)有限公司（以下簡稱“華辰芯光”）宣布完成近2億元人民幣A++輪融資。本輪融資資金主要用于新產(chǎn)品研發(fā)和市場拓展。自2021年成立以來，華辰芯光3年完成5輪融資，資金金額高達(dá)5億元。

華辰芯光成立于2021年，專注于高可靠半導(dǎo)體激光器芯片研發(fā)制造，針對光電產(chǎn)業(yè)鏈高端市場，核心業(yè)務(wù)為光通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域激光芯片設(shè)計與制造。公司在江蘇無錫設(shè)光芯片F(xiàn)AB制造全資子公司，在浙江衢州設(shè)封測子公司。業(yè)務(wù)聚焦AI、低空經(jīng)濟(jì)、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域，核心產(chǎn)品為邊發(fā)射（EEL）和垂直腔面發(fā)射（VCSEL）激光產(chǎn)品。目前年產(chǎn)500萬顆高功率芯片，計劃年底增至2000萬顆，并依托自建的6英寸外延、制造及封測能力，與科研院所合作，推動技術(shù)升級。

半導(dǎo)體激光芯片產(chǎn)業(yè)：

國產(chǎn)化率不足1%的突圍挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體激光芯片是光通信骨干網(wǎng)、激光雷達(dá)、3D傳感等領(lǐng)域的“心臟”，但其技術(shù)壁壘極高，涉及材料、工藝、封裝等多個環(huán)節(jié)的復(fù)雜整合。

據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)，我國在電信骨干網(wǎng)可調(diào)信號光源、激光雷達(dá)泵浦芯片等高端市場的國產(chǎn)化率不足1%，幾乎完全依賴Lumentum、II-VI等歐美日企業(yè)。 

這一困境源于兩大核心瓶頸： 

1.制造工藝落后：外延生長（如GaAs、InP材料）和晶圓加工技術(shù)長期受制于海外專利封鎖，國內(nèi)企業(yè)多停留在低端芯片代工階段；  

2. 產(chǎn)業(yè)鏈割裂：多數(shù)廠商采用Fabless模式，設(shè)計與制造環(huán)節(jié)脫節(jié)，難以實(shí)現(xiàn)性能與成本的優(yōu)化平衡。  

華辰芯光的IDM模式正是破局關(guān)鍵。通過自建6英寸GaAs和4英寸InP混合產(chǎn)線，公司實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計到封測的全流程閉環(huán)，將產(chǎn)品開發(fā)周期縮短40%，同時通過“無接觸FAB”工藝降低生產(chǎn)成本。這一模式不僅提升了國產(chǎn)芯片的可靠性（如激光雷達(dá)芯片壽命突破10萬小時），也為大規(guī)模替代進(jìn)口奠定了基礎(chǔ)。

全球半導(dǎo)體激光芯片市場規(guī)模預(yù)計將在2028年突破300億美元，而中國作為最大的應(yīng)用市場，正迎來政策與需求的雙重驅(qū)動。  

政策層面：國家“十四五”規(guī)劃將光電子器件列為重點(diǎn)攻關(guān)領(lǐng)域，地方基金亦加大對IDM企業(yè)的扶持；  

需求層面：5G基站建設(shè)、自動駕駛激光雷達(dá)普及、低空經(jīng)濟(jì)（如無人機(jī)物流）等場景催生海量需求。  

小結(jié) 

華辰芯光的5輪融資不僅是資本對其技術(shù)實(shí)力的認(rèn)可，更是國產(chǎn)半導(dǎo)體激光芯片產(chǎn)業(yè)從“跟跑”到“并跑”的縮影。在技術(shù)自主與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的驅(qū)動下，中國有望在未來5年內(nèi)將高端激光芯片國產(chǎn)化率提升至20%以上，逐步打破“卡脖子”困局。

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