英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布推出第一代65 奈米(nm)嵌入式快閃 (eFlash)安全芯片樣本，主要用于芯片卡與安全防護應用。這是英飛凌和臺積電自 2009 年合作開發(fā)及生產 65nm eFlash 安全芯片的成果。

    首批進入量產的產品將是 SIM 卡應用的安全芯片，預計將于 2012 下半年進行制程及產品驗證。在競爭激烈的安全 IC 市場上，采用 65nm 技術生產具有相當大的競爭優(yōu)勢，因為相較于舊有技術，65 nm 技術能夠大幅縮小芯片體積，進而提高效率。此外，12?晶圓亦較8?晶圓更具生產力。

    英飛凌芯片卡及安全業(yè)務事業(yè)處營運部副總裁 Pantelis Haidas 表示，這是英飛凌與臺積電合作開發(fā)采用 65nm eFlash 技術的首項成果。該公司依據信息技術安全評估共同準則(Common Criteria for Information Technology Security Evaluation)所規(guī)格的生產環(huán)境中，成功采用了這項先進的12?晶圓技術，并為往后可提供各式芯片卡和安全防護應用的產品建立基礎。

    適用于芯片卡及安全防護應用的 65nm eFlash 技術將會是英飛凌的技術基石，讓公司得以發(fā)揮創(chuàng)新能力，專注開發(fā)生產客制化的安全性產品，以最佳成本效益比，針對智能卡尺寸及其他應用裝置提供適當的安全等級。除與臺積電合作開發(fā)12?晶圓外，英飛凌更將合作范圍延伸至 90nm eFlash 節(jié)點。

    英飛凌科技并于 2011 年智能卡暨身份識別技術產業(yè)展 (CARTES & IDentification 2011) 中展示該芯片卡及安全性解決方案。