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Micron會(huì)同Nanya聯(lián)合推出42納米DRAM工藝技術(shù)
摘要：Micron會(huì)同Nanya聯(lián)合推出42納米DRAM工藝技術(shù)
愛達(dá)荷州博伊西市和臺(tái)灣桃園縣 2010-02-09(中國商業(yè)電訊)－－Micron Technology, Inc.（Nasdaq:MU）會(huì)同Nanya Technology Corporation于今天聯(lián)合宣布，他們已采用其新型銅制42納米（nm）DRAM工藝技術(shù)而成功開發(fā)2千兆位（Gb）DDR3內(nèi)存設(shè)備。DDR3是包括服務(wù)器、筆記本電腦和臺(tái)式計(jì)算機(jī)在內(nèi)的高性能計(jì)算應(yīng)用環(huán)境所采用的卓越內(nèi)存技術(shù)。
轉(zhuǎn)向更小的工藝幾何不僅對(duì)于維持制造的低成本和高效益具有根本的重要性，而且還可為客戶提供諸多的利益，包括更低的功耗、更高的性能、更大的密度和更小的芯片尺寸。與先前各代工藝的1.5伏相比，該新型42納米工藝目前可把1.35伏作為標(biāo)準(zhǔn)、主流電壓要求。降低內(nèi)存功耗對(duì)于當(dāng)今的服務(wù)器環(huán)境至關(guān)重要，因?yàn)槠潆娫春屠鋮s基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)的成本可以與服務(wù)器設(shè)備自身的成本相比擬。隨著服務(wù)器對(duì)內(nèi)存要求的不斷提高，估計(jì)內(nèi)存功耗可高達(dá)每個(gè)模塊21瓦。 在這樣的應(yīng)用環(huán)境下，1.35伏的電壓可提供高達(dá)30%的節(jié)省，因此可降低對(duì)電源和冷卻的要求。
更快的內(nèi)存速度等級(jí)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最大的內(nèi)存性能十分重要。通過壓縮工藝技術(shù)的尺寸，該新型2Gb 42納米DDR3設(shè)備可提供改善的內(nèi)存性能，速度可高達(dá)每秒1866兆位。另外，微小的芯片尺寸加之42納米DDR3設(shè)備的2Gb密度可使模塊的容量高達(dá)16GB。
“隨著向42納米的轉(zhuǎn)移——并且依托于處于我們?cè)诓┮廖魇醒邪l(fā)實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)階段的3X納米工藝——Micron在銅金屬化和專有單元電容器技術(shù)領(lǐng)域的專長(zhǎng)已使我們穩(wěn)居DRAM工業(yè)設(shè)計(jì)和創(chuàng)新的前沿地位，” Robert Feurle，DRAM營銷部的副總裁說?！霸撔滦?Gb 42納米設(shè)備加入我們的DRAM產(chǎn)品系列進(jìn)一步增強(qiáng)了我們本已豐富的客戶終端應(yīng)用內(nèi)存解決方案組合。”
“我們十分榮幸地向我們的客戶提供該款2Gb DDR3，此為一款最具競(jìng)爭(zhēng)力的量產(chǎn)DRAM設(shè)備，” Pei Lin Pai博士，Nanya的全球銷售與營銷副總裁兼發(fā)言人說?！癗anya計(jì)劃以此款采用最新技術(shù)的設(shè)備而服務(wù)服務(wù)器和計(jì)算機(jī)市場(chǎng)以及消費(fèi)類電子市場(chǎng)?！?nbsp;
銅：通向更高質(zhì)量和可靠性的捷徑
新型42納米DRAM工藝技術(shù)采用更高效和更可靠的銅金屬化技術(shù)，從而使Micron和Nanya雙雙處于工藝標(biāo)度的前沿地位。長(zhǎng)期以來，Micron早已認(rèn)識(shí)到銅在幫助DRAM標(biāo)度方面的優(yōu)點(diǎn)，而且近十年以來一直堅(jiān)持利用和潛心鉆研此項(xiàng)技術(shù)。與其他金屬化技術(shù)相比，比如鋁，銅被公認(rèn)為是推進(jìn)工藝幾何進(jìn)步和增強(qiáng)產(chǎn)品性能的更具延展性、更可靠且更具成本效益的方法。隨著Micron和Nanya雙雙攜手而不斷推進(jìn)，進(jìn)而轉(zhuǎn)向其下一代3X納米工藝技術(shù)，該兩家公司必將打造出其強(qiáng)大的銅基地，以提供高質(zhì)量和高可靠性產(chǎn)品。
可供性
新型2Gb 42納米設(shè)備目前正在Micron的制造基地進(jìn)行試用，樣試茲定于2010年第二季度開始，并且計(jì)劃于本年度的下半年投入量產(chǎn)。
Dr. Dobb's，2009年3月5日，服務(wù)器功耗問題—— http://www.drdobbs.com/215800830?pgno=1
相關(guān)鏈接
查閱Micron最新新聞的其他方式：
• Micron Innovations Blog: www.micronblogs.com
• Micron on Twitter: http://twitter.com/microntechnews
• RealSSD on Twitter: http://twitter.com/realssd
• Micron Pressroom: www.micron.com/media
關(guān)于Micron
Micron Technology, Inc.是世界領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案提供商之一。依托于其全球性運(yùn)營，Micron致力于制造和營銷前沿計(jì)算、消費(fèi)、聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)產(chǎn)品所用的DRAM、NAND閃存、其他半導(dǎo)體部件和內(nèi)存模塊。Micron的普通股在NASDAQ上市交易，代號(hào)為MU。欲了解有關(guān)Micron Technology, Inc.的更詳盡信息，請(qǐng)?jiān)L問www.micron.com 。
Micron Technology, Inc.的徽標(biāo)可訪問站點(diǎn) http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950 查閱
關(guān)于Nanya
Nanya Technology Corporation，F(xiàn)ormosa Plastics Group的成員，是先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域的全球領(lǐng)先者，致力于DRAM產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售。NTC的普通股在Taiwan Stock Exchange Corporation（TSEC）上市交易，代號(hào)為2408。該公司目前在臺(tái)灣擁有200毫米工藝和300毫米工藝兩套制造設(shè)施。該公司目前在臺(tái)灣擁有一套200毫米工藝和一套300毫米工藝制造設(shè)施。另外，該公司還擁有一家300毫米工藝合資企業(yè)，名為Inotera Memories, Inc.，在臺(tái)灣運(yùn)營兩套300毫米工藝制造設(shè)施。欲了解進(jìn)一步詳情，請(qǐng)?jiān)L問http://www.nanya.com
Nanya Technology Corporation的徽標(biāo)可訪問站點(diǎn)http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064 查閱
Micron和Micron的軌道徽標(biāo)是Micron Technology, Inc.的商標(biāo)。所有其他商標(biāo)分別為其相應(yīng)所有者的財(cái)產(chǎn)。
本新聞稿包含有關(guān)Micron新型2Gb 42納米DDR3設(shè)備生產(chǎn)及3X納米DRAM工藝開發(fā)的前瞻性陳述。實(shí)際情況或結(jié)果可能與前瞻性陳述中所含的信息存在實(shí)質(zhì)性不同。請(qǐng)參閱Micron以匯總方式隨時(shí)在Securities and Exchange Commission備案的文檔，尤其是Micron最新的Form 10-K和Form 10-Q。這些文檔包含且識(shí)別從總體上講可導(dǎo)致Micron的實(shí)際結(jié)果與前瞻性陳述中所含信息產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性不同的重要因素（參見Certain Factors）。盡管我們相信前瞻性陳述中所反映的期望是合理的，但我們無法保障未來結(jié)果、活動(dòng)的水平、業(yè)績(jī)或成果。
隨本新聞稿一并發(fā)行的圖片可訪問站點(diǎn)http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064 查閱
該圖片也可從Newscom（網(wǎng)址為www.newscom.com ）和通過AP PhotoExpress獲取。
聯(lián)系人： Micron Technology, Inc.
Kirstin Bordner
(208) 368-5487
kbordner@micron.com
Nanya Technology Corporation
Pei Lin Pai博士
886-3-3281688 x1008
plpai@ntc.com.tw
轉(zhuǎn)向更小的工藝幾何不僅對(duì)于維持制造的低成本和高效益具有根本的重要性，而且還可為客戶提供諸多的利益，包括更低的功耗、更高的性能、更大的密度和更小的芯片尺寸。與先前各代工藝的1.5伏相比，該新型42納米工藝目前可把1.35伏作為標(biāo)準(zhǔn)、主流電壓要求。降低內(nèi)存功耗對(duì)于當(dāng)今的服務(wù)器環(huán)境至關(guān)重要，因?yàn)槠潆娫春屠鋮s基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)的成本可以與服務(wù)器設(shè)備自身的成本相比擬。隨著服務(wù)器對(duì)內(nèi)存要求的不斷提高，估計(jì)內(nèi)存功耗可高達(dá)每個(gè)模塊21瓦。 在這樣的應(yīng)用環(huán)境下，1.35伏的電壓可提供高達(dá)30%的節(jié)省，因此可降低對(duì)電源和冷卻的要求。
更快的內(nèi)存速度等級(jí)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最大的內(nèi)存性能十分重要。通過壓縮工藝技術(shù)的尺寸，該新型2Gb 42納米DDR3設(shè)備可提供改善的內(nèi)存性能，速度可高達(dá)每秒1866兆位。另外，微小的芯片尺寸加之42納米DDR3設(shè)備的2Gb密度可使模塊的容量高達(dá)16GB。
“隨著向42納米的轉(zhuǎn)移——并且依托于處于我們?cè)诓┮廖魇醒邪l(fā)實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)階段的3X納米工藝——Micron在銅金屬化和專有單元電容器技術(shù)領(lǐng)域的專長(zhǎng)已使我們穩(wěn)居DRAM工業(yè)設(shè)計(jì)和創(chuàng)新的前沿地位，” Robert Feurle，DRAM營銷部的副總裁說?！霸撔滦?Gb 42納米設(shè)備加入我們的DRAM產(chǎn)品系列進(jìn)一步增強(qiáng)了我們本已豐富的客戶終端應(yīng)用內(nèi)存解決方案組合。”
“我們十分榮幸地向我們的客戶提供該款2Gb DDR3，此為一款最具競(jìng)爭(zhēng)力的量產(chǎn)DRAM設(shè)備，” Pei Lin Pai博士，Nanya的全球銷售與營銷副總裁兼發(fā)言人說?！癗anya計(jì)劃以此款采用最新技術(shù)的設(shè)備而服務(wù)服務(wù)器和計(jì)算機(jī)市場(chǎng)以及消費(fèi)類電子市場(chǎng)?！?nbsp;
銅：通向更高質(zhì)量和可靠性的捷徑
新型42納米DRAM工藝技術(shù)采用更高效和更可靠的銅金屬化技術(shù)，從而使Micron和Nanya雙雙處于工藝標(biāo)度的前沿地位。長(zhǎng)期以來，Micron早已認(rèn)識(shí)到銅在幫助DRAM標(biāo)度方面的優(yōu)點(diǎn)，而且近十年以來一直堅(jiān)持利用和潛心鉆研此項(xiàng)技術(shù)。與其他金屬化技術(shù)相比，比如鋁，銅被公認(rèn)為是推進(jìn)工藝幾何進(jìn)步和增強(qiáng)產(chǎn)品性能的更具延展性、更可靠且更具成本效益的方法。隨著Micron和Nanya雙雙攜手而不斷推進(jìn)，進(jìn)而轉(zhuǎn)向其下一代3X納米工藝技術(shù)，該兩家公司必將打造出其強(qiáng)大的銅基地，以提供高質(zhì)量和高可靠性產(chǎn)品。
可供性
新型2Gb 42納米設(shè)備目前正在Micron的制造基地進(jìn)行試用，樣試茲定于2010年第二季度開始，并且計(jì)劃于本年度的下半年投入量產(chǎn)。
Dr. Dobb's，2009年3月5日，服務(wù)器功耗問題—— http://www.drdobbs.com/215800830?pgno=1
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Micron Technology, Inc.是世界領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案提供商之一。依托于其全球性運(yùn)營，Micron致力于制造和營銷前沿計(jì)算、消費(fèi)、聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)產(chǎn)品所用的DRAM、NAND閃存、其他半導(dǎo)體部件和內(nèi)存模塊。Micron的普通股在NASDAQ上市交易，代號(hào)為MU。欲了解有關(guān)Micron Technology, Inc.的更詳盡信息，請(qǐng)?jiān)L問www.micron.com 。
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Nanya Technology Corporation，F(xiàn)ormosa Plastics Group的成員，是先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域的全球領(lǐng)先者，致力于DRAM產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售。NTC的普通股在Taiwan Stock Exchange Corporation（TSEC）上市交易，代號(hào)為2408。該公司目前在臺(tái)灣擁有200毫米工藝和300毫米工藝兩套制造設(shè)施。該公司目前在臺(tái)灣擁有一套200毫米工藝和一套300毫米工藝制造設(shè)施。另外，該公司還擁有一家300毫米工藝合資企業(yè)，名為Inotera Memories, Inc.，在臺(tái)灣運(yùn)營兩套300毫米工藝制造設(shè)施。欲了解進(jìn)一步詳情，請(qǐng)?jiān)L問http://www.nanya.com
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Micron和Micron的軌道徽標(biāo)是Micron Technology, Inc.的商標(biāo)。所有其他商標(biāo)分別為其相應(yīng)所有者的財(cái)產(chǎn)。
本新聞稿包含有關(guān)Micron新型2Gb 42納米DDR3設(shè)備生產(chǎn)及3X納米DRAM工藝開發(fā)的前瞻性陳述。實(shí)際情況或結(jié)果可能與前瞻性陳述中所含的信息存在實(shí)質(zhì)性不同。請(qǐng)參閱Micron以匯總方式隨時(shí)在Securities and Exchange Commission備案的文檔，尤其是Micron最新的Form 10-K和Form 10-Q。這些文檔包含且識(shí)別從總體上講可導(dǎo)致Micron的實(shí)際結(jié)果與前瞻性陳述中所含信息產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性不同的重要因素（參見Certain Factors）。盡管我們相信前瞻性陳述中所反映的期望是合理的，但我們無法保障未來結(jié)果、活動(dòng)的水平、業(yè)績(jī)或成果。
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plpai@ntc.com.tw
