影音先锋熟女少妇av资源,国产精品52页,2021精品国产自在现线看,亚洲高清中文字幕在线

物聯(lián)傳媒 旗下網(wǎng)站
登錄 注冊

IBM等4家公司發(fā)布45nm Bulk CMOS工藝

作者：大下 淳一
來源：日經(jīng)BP社
日期：2007-06-16 10:56:16
摘要：IBM、韓國三星電子（Samsung Electronics）、德國英飛凌科技（Infineon Technologies），新加坡特許半導(dǎo)體制造（Chartered Semiconductor Manufacturing）等4家公司聯(lián)合發(fā)表了面向圖形處理LSI的45nm Bulk CMOS工藝技術(shù)（演講序號2-3）。
IBM、韓國三星電子（Samsung Electronics）、德國英飛凌科技（Infineon Technologies），新加坡特許半導(dǎo)體制造（Chartered Semiconductor Manufacturing）等4家公司聯(lián)合發(fā)表了面向圖形處理LSI的45nm Bulk CMOS工藝技術(shù)（演講序號2-3）。該技術(shù)通過改進應(yīng)變硅技術(shù)、源-漏極活性化技術(shù)，獲得了柵長35nm的nMOS為1150μA/μm、柵長35nm的pMOS為785μA/μm（截止電流100nA/μm）的電流驅(qū)動性能，達到業(yè)內(nèi)最高水平。該成果的相關(guān)論文入選了此次焦點論文云集的分會（Session 2）——“Highlights”。  

620)this.style.width=620;" border=0>

圖1：IBM發(fā)表演講 


改進應(yīng)變硅技術(shù)，采用激光退火  

晶體管工序的改進點主要有兩個。第一，基于SiGe源-漏極和SiN膜的應(yīng)變硅技術(shù)。向pMOS施加壓縮應(yīng)變的SiGe源-漏極方面，通過改進SiGe層的形狀（Profile），使SiGe層與通道的距離比以往更短，實現(xiàn)了向通道施加強應(yīng)變。向pMOS施加壓縮應(yīng)變、向nMOS施加拉伸應(yīng)變的SiN膜（Dual Stress Liner）方面，通過使隔離層的形狀呈L字形，縮短了覆蓋隔離層的SiN膜與通道之間的距離，加強了向通道施加的應(yīng)變。 

620)this.style.width=620;" border=0>

圖2：柵長35nm的pMOS 

620)this.style.width=620;" border=0>

圖3：在pMOS與nMOS中均實現(xiàn)了較高的電流驅(qū)動能力 

第二，在源-漏極活性化技術(shù)中采用了激光退火。與此前的高溫退火相比，該方法能夠在短時間內(nèi)使源-漏極的雜質(zhì)活性化，能夠防止短通道效應(yīng)的主要起因——雜質(zhì)擴散的產(chǎn)生。  

除此之外，布線工序方面，10層金屬布線的層間絕緣膜采用了介電常數(shù)為2.4的低介電膜。開發(fā)小組正在利用此次的工藝試制SRAM，其單元面積最小為0.249μm2 。另外，IBM與美國AMD（Advanced Micro Devices）合作開發(fā)的基于SOI（silicon on insulator）底板的45nm CMOS工藝已經(jīng)在“2006 IEDM”上進行了發(fā)表。 

人物訪談