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2月12日，中芯國(guó)際發(fā)布2024年Q4業(yè)績(jī)，營(yíng)收首破80億美元。

中芯國(guó)際與華虹半導(dǎo)體第二季度財(cái)報(bào)顯示營(yíng)收均有環(huán)比增長(zhǎng)。中芯國(guó)際營(yíng)收19.01億美元，環(huán)比增長(zhǎng)8.6%，同比增長(zhǎng)21.8%；華虹半導(dǎo)體收入4.79億美元，環(huán)比下降但環(huán)比增長(zhǎng)4.0%。兩公司產(chǎn)能利用率也顯著提升，中芯國(guó)際達(dá)85.2%，華虹半導(dǎo)體高達(dá)97.9%。雙方均表示市場(chǎng)正緩慢復(fù)蘇，華虹半導(dǎo)體總裁唐均君強(qiáng)調(diào)市場(chǎng)正從底部回升，中芯國(guó)際CEO趙海軍指出中低端消費(fèi)電子需求逐步恢復(fù)，產(chǎn)業(yè)鏈備貨意愿增強(qiáng)。

日前，研究機(jī)構(gòu)TechInsights旗下趨勢(shì)研究的McClean Report部門(mén)（原IC Insights）公布了2023年半導(dǎo)體公司銷(xiāo)售額排名前25位。

美國(guó)延長(zhǎng)59家中企禁令！涉華為、中芯國(guó)際

12月4日晚間，中芯國(guó)際發(fā)布公告，公司全資附屬公司中芯控股、國(guó)家集成電路基金II和亦莊國(guó)投已訂立合資合同，以共同成立合資企業(yè)中芯京城集成電路制造(北京)有限公司，注冊(cè)資本為50億美元，總投資額為76億美元(約500億人民幣)，業(yè)務(wù)范圍包括生產(chǎn)12吋集成電路晶圓及集成電路封裝系列等。

在經(jīng)過(guò)幾周的傳言后，晶圓代工廠中芯國(guó)際(SMIC)于4日晚向港交所發(fā)布公告，終于確認(rèn)美國(guó)商務(wù)部對(duì)該公司實(shí)施出口管制。

成都西谷及西部芯辰集成電路有限公司打造的世界上第一顆超低功耗SOC “萬(wàn)物互聯(lián)LDSW 芯片”，已經(jīng)于2019年2月18日在中芯國(guó)際下線，經(jīng)過(guò)封裝測(cè)試后，便可提供給用戶進(jìn)行二次開(kāi)發(fā)使用。它實(shí)際就是一個(gè)超低功耗智能有源RFID芯片。

臺(tái)積電、三星、中芯國(guó)際三者在芯片制造行業(yè)占據(jù)了近7成的市場(chǎng)份額，幾乎能夠代表整個(gè)芯片制造行業(yè)。它們集體出現(xiàn)營(yíng)收下降等癥狀，似乎預(yù)示著芯片制造行業(yè)在換季之時(shí)“感冒”了。

目前，包括國(guó)外物聯(lián)網(wǎng)芯片提供商第一梯隊(duì)的高通、英特爾、恩智浦、ARM，和國(guó)內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)芯片龍頭華為海思、中芯國(guó)際、臺(tái)積電等公司都在紛紛擴(kuò)大設(shè)備、組件和軟件開(kāi)發(fā)方面的創(chuàng)新能力，利用自身優(yōu)勢(shì)優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，這無(wú)疑將加速行業(yè)發(fā)展，推動(dòng)更多的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用成為可能。

比NAND閃存更快千倍 40納米R(shí)eRAM在中芯國(guó)際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國(guó)際，為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM?主要原因在于ReRAM應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置擁有愈長(zhǎng)的電池續(xù)航力，一來(lái)可節(jié)省維護(hù)成本、二來(lái)有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。

中芯國(guó)際、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司和Qualcomm Incorporated旗下子公司宣布達(dá)成向中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體有限公司投資的意向并簽署不具有法律約束力的投資意向書(shū)，投資總額為2.8億美元。如本輪擬進(jìn)行的投資一旦完成，將幫助中芯長(zhǎng)電加快中國(guó)第一條12英寸凸塊生產(chǎn)線的建設(shè)進(jìn)度，從而擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，提升先進(jìn)制造能力，并完善中國(guó)整體芯片加工產(chǎn)業(yè)鏈。

IBS預(yù)測(cè)，2020年全球IoT產(chǎn)業(yè)將產(chǎn)生高達(dá)7000億美元的價(jià)值。中芯國(guó)際深圳8寸廠的投產(chǎn)，正是看準(zhǔn)了這一市場(chǎng)。IoT產(chǎn)品，由于產(chǎn)品特性更注重殺手級(jí)應(yīng)用，卻并不需要先進(jìn)制程技術(shù)，這使得中芯國(guó)際深研成熟制程，發(fā)揮差異化優(yōu)勢(shì)的策略成效漸顯。

為迎接物聯(lián)網(wǎng)(IoT)時(shí)代來(lái)臨，繼臺(tái)積電備妥超低功耗技術(shù)平臺(tái)(ULP)，沖刺上海松江8寸廠產(chǎn)能，聯(lián)電蘇州和艦廠及上海華虹亦積極擴(kuò)產(chǎn)，近期大陸中芯國(guó)際更瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，重新啟動(dòng)深圳8寸廠，鎖定0.18微米到90納米制程全力擴(kuò)產(chǎn)，晶圓代工8寸廠產(chǎn)能戰(zhàn)火一觸即發(fā)。

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”，紐約證券交易所：SMI，香港聯(lián)合交易所：981)和卓勝微電子，中國(guó)知名射頻 IP 公司，23日共同宣布卓勝微電子的藍(lán)牙射頻 IP 已在中芯國(guó)際55納米低功耗邏輯工藝上通過(guò)硅驗(yàn)證，并已集成到中芯國(guó)際某客戶的產(chǎn)品流片當(dāng)中。

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司與北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司（“華大電子”）共同宣布，華大電子推出中國(guó)第一顆55納米智能卡芯片，該芯片采用中芯國(guó)際55納米低功耗（LL）嵌入式閃存（eFlash）平臺(tái)，具有尺寸小、功耗低、性能高的特點(diǎn)，目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)供貨，其優(yōu)良性能得到客戶的廣泛認(rèn)可。