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eNVM
  • 晶圓代工廠GlobalFoundries和恩智浦(NXP)共同開發(fā)下一代嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器eNVM技術(shù)，以GlobalFoundries的12吋晶圓廠為基地，低功耗40納米制程為基礎(chǔ)，預(yù)計(jì)在2016年于新加坡的晶圓廠進(jìn)行量產(chǎn)。
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  • 嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)廠商力旺電子，與中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際，共同宣布，已聯(lián)手?jǐn)U大在非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)上的發(fā)展布局，合作制程涵蓋0.35微米至40納米等，橫跨 NeoBit、NeoFuse、NeoEE 與 NeoMTP 等單次與多次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù) (eNVM)。
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