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目前富士通推出的產(chǎn)品是獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器以及內(nèi)置鐵電的RFID，因?yàn)椴捎昧诵碌?.18um工藝，鐵電的存儲(chǔ)容量也得到了提升。以獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器為例，IIC接口的存儲(chǔ)容量在4Kbit~256Kbit;SPI接口的在16Kbit-2Mbit，其中1Mbit和2Mbit今年三月份富士通剛剛完成開發(fā)，目前已經(jīng)可以提供樣品;并口提供的容量更大，在256Kbit~4Mbit，8M容量的也在計(jì)劃開發(fā)當(dāng)中。

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的EEPROM存儲(chǔ)器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體率先發(fā)布針對(duì)密集型數(shù)據(jù)寫應(yīng)用的2-Mbit串口EEPROM芯片。新款I(lǐng)C讓設(shè)計(jì)人員能夠以單一EEPROM存儲(chǔ)器替代多個(gè)EEPROM，進(jìn)而提高印刷電路板上的參數(shù)管理性能。這兩款創(chuàng)新產(chǎn)品有助于節(jié)省制造成本和電路板尺寸，適用于消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用，如電視和屏幕、平板顯示器、機(jī)頂盒、打印機(jī)、智能電表以及醫(yī)療設(shè)備等。